在混合动力及电动汽车、电力和光伏 逆变器等多种需求的推动下，SiC和GaN功率半导体市场规模持续增长，陶瓷基板的结构和材料选择对功率半导体器件的性能和应用领域有重要影响。近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。
期间，”碳化硅功率器件及其封装技术 I“上，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超做了”功率器件封装用的高性能AlN陶瓷基板及金属化技术“的主题报告。分享了面向功率器件封装用陶瓷基板的发展现况，以及博睿陶瓷基板研究进展等内容。
梁超
江苏博睿光电股份有限公司副总经理
博睿光电陶瓷基板的研究方向，涉及高性能AlN陶瓷基板、基于AlN基板的金属化技术等。热导率的持续提升是研究的焦点，材料缺陷产生的声子散射为制约其热导率提高的核心问题。报告分享了高导热AlN陶瓷的研究思路，超高导热AlN陶瓷制备技术，高导热AlN陶瓷翘曲控制、高导热AlN陶瓷基板表面拓扑控制、AlN陶瓷基板金属化技术等研究进展，以及高导热+[超薄·高强·高韧]基板性能新挑战等。
报告指出，AlN陶瓷基板的热导率提升有利于助推其更广阔的应用前景。超高导热AlN陶瓷基板的低成本制造技术突破将会推动AlN陶瓷基板进入更多应用领域。高性能AlN陶瓷基板与DPC/AMB/DBA金属化技术的充分结合，将会更好的满足未来高密度封装的发展需求。
（根据现场资料整理，仅供参考）
