2013年11月11日，第十届中国国际半导体照明论坛之“芯片、器件、封装与模组技术分会(1)”在北京昆泰酒店召开。会上，华灿光电股份有限公司总裁刘榕做了题为“高压LED关键技术开发和未来展望”的报告。
报告介绍了高压LED中绝缘沟道的特性，比如侧壁表面粗糙度，刻蚀深度，倾斜角度和表面图案对器件性能的影响的实验过程及结论，在研究结果的基础上，华灿光电通过优化绝缘沟道的这些物理特性，制备了高性能18伏的20*45mil高压LED芯片。该芯片的封装后光效达到了130lm/w同时拥有优越的光发射均匀性。
据了解，目前高压LED芯片的市场份额仍然落后于传统LED芯片，刘榕表示，高压LED是LED照明的技术分支，有助于减少封装成本，降低工艺过程的成本，随着研究的进行，高压LED的可靠性以及良率也在提升。另外，倒装芯片技术水平不断提高，与倒装技术相结合，高压LED会成为LED很重要的技术方案。
