当前位置: 首页 » 资讯 » 产业资讯 » 产业 » 正文

Ag迁移致集成电路输出异常失效分析

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-03-23 来源:新世纪LED论坛浏览次数:15






1.案例背景

某功能模块在用户端出现功能失效,经返厂检修,发现该模块上的一片IC输出异常,经更换IC后,功能模块恢复正常。

2.分析方法简述

对样品进行外观观察,未发现明显异常。

经X-RAY无损检测,未发现明显异常。

通过C-SAM扫描发现了IC内部存在分层现象。

       图5.NG样品C-SAM图片

通过IV曲线测试,发现引脚间存在漏电通道。

       图6.NG样品IV曲线图

DE-CAP后,利用SEM/EDS进行分析,确认了引脚间存在银迁移问题。

       表1.开封后的NG样品内部EDS测试结果(Wt%)

3.结论

IC内部存在分层,由于水汽的入侵,加上集成电路各引脚之间存在电位差,导致了引脚间的银迁移,从而在引脚间形成微导通电路,致IC输出异常。

4.参考标准

GJB 548B-2005 微电子器件失效分析程序-方法5003。

IPC-TM-650 2.1.1-2004手动微切片法。

GB/T 17359-2012 电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析通则。

 
【版权声明】本网站所刊原创内容之著作权为「中国半导体照明网」网站所有,如需转载,请注明文章来源——中国半导体照明网;如未正确注明文章来源,任何人不得以任何形式重制、复制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部。
 
[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 诚聘英才 | 广告服务 | 意见反馈 | 网站地图 | RSS订阅