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国星光电取得一项晶圆级封装发明专利 专利期限20年

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-07-21 来源:中国半导体照明网作者:尔东升浏览次数:176
  国星光电(002449)于21日发布公告称,公司于近日取得一项发明专利,并获得了由国家知识产权局颁发的专利证书。专利名称用于在晶圆级封装中暴露电极的方法及掩膜版,专利号ZL201210194780.9,专利期限20年。
 
  公告称,该专利的专利权人为公司。此项专利的取得不会对公司生产经营产生重大影响,但有利于保护和发挥公司自主知识产权优势,形成持续创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。
 
  国星光电4月21日公告,预计2015年1-6月归属于上市公司股东的净利润变动区间为7,089.45万元至8,378.44万元,比上年同期增长10.00%至30.00%。业绩变动的原因说明公司营业收入增长所致。
 
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