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【SSLCHINA2015】吴洁君:21片HVPE系统及GaN单晶衬底研究进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-11-04 来源:中国半导体照明网作者:王美浏览次数:496
   中国半导体照明网讯:2015年11月3日下午,第十二届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2015)之“材料与装备技术”分会在深圳会展中心五层举行。会上,北京大学宽禁带半导体研究中心/东莞市中镓半导体有限公司的吴洁君做了题为“21’晶圆HVPE系统及GaN单晶衬底研究进展”的报告。

会议现场

北京大学宽禁带半导体研究中心/东莞市中镓半导体有限公司 吴洁君
 
  近几年来,自支撑GaN衬底由于其低位错密度及高导热性而得到广泛应用。HVPE方法是最适用于生长GaN厚膜的方法之一,它与自分离技术相结合已经成功制备出自支撑GaN衬底。如果要进一步提高GaN衬底的生产效率,则必须像多片MOCVD机生产LED管芯那样,发展多片HVPE系统。但是受制于膜厚均匀性等关键问题无法解决,多片HVPE系统至今仍处于初始阶段。
 
  吴洁君表示,通过建立大型加热炉热场稳态及非稳态模型,并采用增加绝热反射层的方式控制热散失,实现可控的大面积均匀温场,从而开发研制出大反室21片HVPE系统已经实现同时生长21片10-50um复合衬底,片内均匀性约10%,片间均匀性小于5%。多片(21片)机的研制成功将大大促进GaN衬底产业的生产效率,也有利用降低单片GaN的昂贵价钱,推动其下游产业的发展。
 
  同时,开发出低缺陷密度、无裂纹GaN厚膜的HVPE生长技术、可控的2英寸GaN厚膜与异质衬底的完整分离技术和流量调制多片均匀性HVPE生长技术。在HVPE生长中采用渐变调节并周期调制的方法,可以既控制GaN厚膜开裂,又控制缺陷密度,达到制备高质量的GaN厚膜衬底材料的目的。利用此方法,成功获得无裂纹厚度达到370微米的GaN厚膜,其位错密度降到5×107 cm-2。
 
  针对2英寸GaN厚膜难于和异质衬底分离的问题,我们提出在生长界面、衬底和生长过程等多环节应变控制的自分离技术。同时,在理论模型的指导下,控制薄膜厚度的均匀分布及膜厚达到临界厚度以上,实现GaN自分离过程可控。获得的2英寸自支撑GaN单晶衬底,表面光滑无裂纹,晶体质量高,厚度偏差<±5%,位错密度达到2-5×106 cm-2。在同质衬底上同质外延高光效白光LED。
 
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