2015年11月3日下午，第十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2015）之“材料与装备技术”分会在深圳会展中心五层举行。会上，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员王建峰做了关于GaN衬底生长技术研究的报告，分享了当前GaN衬底生长技术的研究及成果。
基于GaN单晶衬底的同质外延LED器件，由于其功率密度高、光衰小等优点，已经成为半导体照明产业发展的重要方向。美国Soraa、日本松下已经形成了GaN on GaN LED器件的小规模量产，在MR-16射灯、汽车前大灯等细分市场获得了成功的应用。紫外LED器件，由于在消毒、印刷、医疗等领域的重大应用前景，也是半导体照明市场中的另一个蓝海。
然而，GaN on GaN LED器件的发展离不开衬底材料、外延结构、器件工艺等多项创新技术的发展，紫外LED器件也必须依赖于高质量AlN材料、AlGaN量子阱结构的设计与生长、P型AlGaN材料生长、紫外封装等关键技术的开发。可以看出，无论是GaN on GaN LED器件还是紫外LED器件，首先必须从衬底材料上率先突破。其中，GaN on GaN LED器件必须依赖于GaN单晶衬底，而紫外LED器件必须依赖于高晶体质量的AlN模板材料。
王建峰表示，苏州纳维科技有限公司基于自主研发的HVPE生长技术，一直专注于高质量GaN单晶衬底以及AlN模板衬底的研发和生产，力争为半导体照明客户提供良好的材料支撑。
GaN单晶衬底，目前苏州纳维已经实现了2英寸GaN单晶衬底的批量生产，缺陷密度最低可达104cm-2，完成了4英寸GaN自支撑衬底的研发，正在开展6英寸GaN自支撑衬底的研发。同时优化了GaN单晶衬底的表面处理工艺，能够将客户已有的外延生长技术无缝过渡到同质外延生长技术。
AlN模板衬底，厚度达到3到5微米，X射线衍射的（0002）面和（10-12）面半高宽分别小于300arcsec和400arcsec，位错密度在3*108cm-2左右，表面粗糙度小于1nm（10μm*10μm范围内）。同时基于当前商业化的MOCVD设备，完成了高质量AlGaN外延层的生长验证，这说明：高质量AlN模板衬底使得紫外LED器件的制备更简单，不必依赖于特殊的MOCVD装备或者特殊的MOCVD生长工艺，利用当前商业化的MOCVD装备以及一般的外延生长条件，就能够实现高质量紫外LED器件的制备。
基于上述两种衬底技术，苏州纳维科技有限公司愿意与产业同仁协力前进，积极开展大功率LED器件以及紫外LED器件的研发，共创美好明天。
