本届大会，将从技术、产业、应用等全链条策划，通过高峰论坛、专题研讨、应用峰会、合作论坛和创新大赛等多种形式，围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用设置，包括碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术、第三代半导体与固态紫外器件等多个专场重点讨论。
其中，2016年11月16日召开的“氮化镓及其他新型宽禁带半导体电力电子器件技术”分会采用召集人+主席+分会团的模式，山东大学校长、教授张荣与北京大学物理学院教授，北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任、中国物理学会发光分会理事张国义领衔担任召集人，汇聚全球顶级专家精英，打造一场氮化镓等第三代半导体电力电子器件的盛会。
在16日上午的报告环节中，将邀请美国弗吉尼亚理工大学教授，美国工程院院士Fred C.LEE和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱作报告。
在16日上午的报告环节中，将邀请美国弗吉尼亚理工大学教授，美国工程院院士Fred C.LEE和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱作报告。
Fred C.LEE教授指出，在功率电子产品的生产中，必须考虑品质和可靠性，重点是实现高效率、高功率密度和低成本。这个领域未来的发展将会与功率器件、材料和制造技术的进展紧密相关。随着宽带隙功率器件的最新进展，交换器的产生将会在很大程度上影响以上三个方面。
对于任何设计，如果简单地用WBG替换硅器件，将会获得效率的提高。尽管这是一个很大的贡献，但是仅仅停留于此对WBG不公平。WBG器件能够在更高频率下工作。因此，可以采用WBG将器件尺寸降低5-10倍，并且在一些应用中已经实现。设计与现有的硅器件相比，转换频率为10X，20X甚至50X的转换器，是充满挑战性的。某些这种的设计不仅能够提高性能，并且能够在生产中减少劳动量。
孙钱博士将在会议上报告生产p-GaN gate HEMTs的器件特性。目前公认的CaN基功率器件最有前景的商业化方式是直接生长在低成本大直径的硅片上。孙博士指出采用多层AlN/AlGaN来克服在Si上生长无缝的高品质Ga(Al)N时产生的晶格常数和热膨胀系数的严重失配，对高阻抗的Ga(Al)N进行碳掺杂与其电击穿特性的相关性。
对于GaN基功率器件的实际应用，增强模HEMT能够有效地避免失效，并且简化电路。由于技术手段的不足，p-GaN门的生产通常不采用HEMT。为有效控制阈值电压，并且降低2DEG特性的退化，对p-GaN进行有效的Mg掺杂，并且减小扩散。在非门区域对p-GaN层进行刻蚀，有很好的一致性。
作为一种新型的宽禁带半导体材料，碳化硅因其出色的物理及电特性，正越来越受到产业界的广泛关注。超强的阵容组合，加上高质量的内容，本次分会将全方位呈现当前碳化硅电力电子器件的研究进展，有哪些趋势？……相信你想知道的，都会有答案。请继续关注论坛“精彩早知道”系列！
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参会报名、参会联系人
张小姐 M：13681329411 T：010-82387380 E：zhangww@china-led.net
贾先生 M：18310277858 T：010-82387430 E：jiaxl@china-led.net
许先生 M：13466648667 T：010-82381680 E：xujh@china-led.net
第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2016）活动官网：http://www.sslchina.org
2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际会议（IFWS）活动官网：http://www.ifws.org.cn
