在今年一年一度的半导体照明国际盛会--第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2016）期间。在 “材料与装备技术分会”聚拢了该领域一大批国际专家和企业家，畅谈产业核心材料及重大装备新进展，聚焦国产化装备及材料新进展。分会主持由中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜和佐治亚理工大学教授Russell Dupuis共同担任。
会上，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心研究员、主任徐科分享了“氮化镓衬底生长的最新进展”。他表示，如转换器和逆变器一般用于电力转换的电力电子设备是有效利用电能的核心技术。 SiC电子器件被认为是成为用于各种应用中的下一代低损耗功率转换设备的关键部件。现有碳化硅晶体生长技术是依靠播种升华增长方法实行的。
徐科表示，现在市场上有几乎微管密度为零的4和6英寸的的晶片。然而，在当前的技术中，晶体生长仍然容易出现高密度的扩展缺陷。因此减少这些缺陷是改善SiC器件性能的最优先问题。液生长法被认为是产生高质量SiC晶体的有力方法。
对于块体晶体生长，通常执行顶部晶种溶液生长（TSSG）方法。在该方法中，晶体由碳坩埚中的硅基溶剂生长而成，过程中碳元素从坩埚进入溶剂。然而缺陷修复的效果细节依然不清楚。最近，我们的X射线形貌实验揭示了穿透脱臼的愈合机制。
同时，在演讲中，徐科还回顾了脱位复位的机理、位错密度的控制以及“超高质量”的可能性。
