在今年一年一度的半导体照明国际盛会--第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2016）期间。在 “材料与装备技术分会”聚拢了该领域一大批国际专家和企业家，畅谈产业核心材料及重大装备新进展，聚焦国产化装备及材料新进展。分会主持由中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜和佐治亚理工大学教授Russell Dupuis共同担任。
会上，来自德国爱思强股份有限公司Jens Voigt，介绍了在干蚀刻图案蓝宝石衬底（DPSS）上使用31x4”规格的Aixtron AIX R6 MOCVD设备大规模生产InGaN基蓝光LED。
Jens Voigt介绍该系统在连续运行的模式下操作，首先对波长、光输出功率（LOP）和静电放电（ESD）量进行检测，确保LED运行和生产的稳定性之后，再开始对喷头进行清洗。相比以前运行后清洗喷头的操作模式，现在的吞吐量可提升超过10%。
在量子阱生长期间，波长产量高度依赖于温度的重现性。爱思强已经采用LayTec和TEQualizer功能的内部TTC，开发了一个动态的多区域顶部温度控制。TEQualizer功能基于400nm测温开环晶片表面的温度控制，使用Laytec的Inside P400。结合晶圆和运行对比，优化晶片载体可提高温度稳定性，我们表示晶片均匀S = 1.1nm，晶片对比均匀S = 1.1nm，运行对比再现性s< 1nm，从而使得在6 nm bins时总晶片面积波长产量＞90%。
罗布的稳定性证明在3%的窗口内没有明显的运行对比趋势。此外，SIMS和TXRF测量确认无遗留杂质以及新杂质的引入。
Jens Voigt表示，以ESD最佳产量为目标，通过在缓冲层设计实验，确定绝对缓冲层的生长温度窗口，特别是依据Inside P400读数，考虑缺陷相关的形态和相关实验。通过这种方法我们已经证明了在连续运行模式下ESD率＞90%，可用于批量生产InGaN蓝光LED。
