碳化硅器件具有低损耗、高频率等性能优势，特别适用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器、UPS电源、智能电网、航空航天等应用领域，具有极大的发展潜力及广阔的市场空间，其创新技术和研究成果是今年PCIM Asia的关注热点。
基本半导体由瑞典碳化硅领军企业Ascatron AB和国内IGBT驱动领域领先品牌青铜剑科技联合创立，整合海外先进技术和国内市场资源，推动碳化硅器件在国内的产业化。
基本半导体的碳化硅JBS二极管采用先进刻蚀结合二次外延的3D SiC?技术，形成嵌入式的P型掺杂区，该技术可使器件具有低导通压降和低反向漏电流的特点。同时3D SiC?技术有利于简化器件设计要求，可广泛应用于多个电压电流等级以及各器件类型。
目前基本半导体已成功开发出了1200V、1700V电压等级的标准及高温系列碳化硅JBS二极管，该系列产品具有反向漏电流极低（25℃反向漏电流小于1μA，175℃反向漏电流小于5μA）、抗浪涌电流能力强、总存储电荷低的特点，可极大降低开关损耗，有利于提高系统效率和功率密度，满足各行业应用需求。
基本半导体碳化硅JBS产品列表
基本半导体在展会展出的基于6英寸晶圆的1200V/20A JBS碳化硅二极管各项指标已达到国际领先水平；1200V平面栅碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成样品评估，沟槽栅MOSFET已完成工艺设计，样品即将完成；另外10kV/2A SiC PiN二极管已实现量产。
基本半导体始终专注技术创新，以客户需求为导向，不断开发性能优越的碳化硅功率器件，助力半导体行业快速发展。
关于基本半导体：
深圳基本半导体有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）由瑞典碳化硅领军企业Ascatron AB联合青铜剑科技联合打造，并与深圳清华大学研究院共建“第三代半导体材料与器件研究中心”，从事碳化硅功率器件的研发与产业化。
基本半导体通过引进由海归人才和外籍专家组成的高层次创新团队，对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发，覆盖产业链各个环节，建立了一支国际一流的研发和产业化团队。
基本半导体立志于整合海外创新技术与国内产业资源，打破国外技术垄断，把基本半导体打造成为行业领军企业，实现中国在第三代半导体领域的弯道超车。
