第二届全国宽禁带半导体学术会议精彩抢先看　　

发布日期：2017-08-02 来源：中国半导体照明网浏览次数：438

　　宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。当前，国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，被认为是“换道超车”的重要发展窗口期，我国也在积极推进宽禁带半导体的发展。

　　8月10日-12日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会主办，广东省科学院、广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办的第二届全国宽禁带半导体学术会议将在青海省会西宁召开。

　　本届会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。大会也受到高度关注，不仅收到了大批高质量的论文，而且各大科研机构、高校、名企也积极派代表报名参会。据组委会介绍，截止日前，已有投稿170余篇，大会邀请报告10篇，分会邀请报告近40篇。

　　根据大会日程，除了开闭幕大会以外，还设置5个分会场，围绕材料生长、材料物性表征及仿真、LED及照明技术电力电子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它宽禁带半导体材料与器件等不同主题进行深入探讨。

　　氮化镓(GaN)以及碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地，被认为或将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。

　　从大会报告内容设置来看，围绕第三代半导体的前沿发展、技术应用、产业化等多个维度都将有重量级的报告呈现。既有宽禁带半导体的发展新动向，亦有碳化硅、氮化镓材料，以及器件等的最新研究进展及发展方向，多维度呈现宽禁带半导体领域的最新动态。并将以开阔的视野展现宽禁带半导体领域的现在与未来。

　　其中，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓将带来宽禁带半导体的发展新动向，浙江大学教授盛况，中科院物理所研究员陈小龙，厦门大学教授康俊勇，中国电子科技集团第十三研究所研究员蔡树军等专家将做大会特邀报告，从不同的角度介绍当前碳化硅电力电子器件研究进展、宽禁带碳化硅半导体材料研究及产业化、多场调控ALGaN量子结构及其在紫外光源的应用、GaN微波器件最新进展等。此外，不同分会的也将有众多重要报告内容呈现，非常值得期待。

一、大会日程（最终日程以活动当天为准）

二、大会分会场主题：

1．材料生长（氮化物半导体、氧化物半导体、SiC、金刚石等）
2．材料物性和表征方法（光、电、磁、热性质、缺陷物理等）
3．光电子器件及其应用（LED、LD、光电探测器等）
4．电子器件及其应用（射频电子器件、功率电子器件等）
5．新型宽禁带材料与器件（超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等）

三、会议注册费：

1. 一般代表（A类票）：

2800元（含论文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）

2. 学生代表（B类票）：

2300元（与一般代表相同会议待遇，但须提交相关证件）

四、注册费缴费方式：

1．通过银行汇款：

开户行：中国银行北京科技会展中心支行

账号：336356029261

名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

2．现场缴费（接受现金和刷卡）

五、会议信息及联系人

1. 会议官网：<http://www.wbschina.cn/wbs/index.asp>　　

2. 会议酒店：青海西宁万达嘉华酒店

组委会提供会议协议酒店，以满足参会代表的不同需求。会议召开期间，正值旅游旺季，房源紧张，请您合理安排好时间，自行与酒店提前联系预定，并声明是参加“第二届全国宽禁带半导体学术会议”的代表，住宿费用自理。

备注：各酒店享有会议特别折扣的客房数量有限，请尽早预订。享有会议折扣房价的客房售完时，一些酒店可能还保留部分原价客房以供预订。