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第二届全国宽禁带半导体学术会议胜利闭幕

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-08-16  来源:中国半导体照明网  浏览次数:1385
   8月11日下午,由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会主办,广东省科学院、广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办的第二届全国宽禁带半导体学术会议在西宁万达嘉华酒店胜利闭幕。
  按照大会议程安排,闭幕仪式前是重要的特邀报告环节。该环节特邀中国科学院院士、南京大学教授郑有炓和中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃两位院士坐镇担任闭幕大会特邀报告主持人。

中国科学院院士、南京大学教授郑有炓和中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃担任嘉宾主持人

浙江大学的叶志镇教授
  来自浙江大学的叶志镇教授首先分享了“ZnO薄膜研究新进展与LED光效提升研究”特邀报告。他表示,ZnO直接宽带发紫蓝光,P型掺杂与电发光是行业难题,ZnO透明导电,光电调控理论与工程应用是关键。ZnO多功能,材料可控制备与功能调控机制是基础。对节能、信息与智能技术发展有重要意义。物丰价廉、环境友好、可持续发展,对固态照明、透明显示和传感领域应用都值得期待。他认为, GaN、SiC研究潮水已来,是乘风扬帆的好时机。ZnO多功能,ZnO材料代表未来,就如停在海滩上一艘船,迎接潮水。

华南理工大学彭俊彪教授
   华南理工大学彭俊彪教授则分享了“高迁移率氧化物半导体显示材料的科学与技术”特邀报告。报告中对OLED显示发展趋势、新型氧化物TFT材料研制、溶液法制备TFT阵列、基于新型TFT阵列的AMOLEDs和AMOLED显示屏进行了详细介绍。他表示,在高分子界面材料、高效率印刷器件和全印刷OLED显示屏领域做出了一些创新工作。发明了水/醇溶界面修饰聚合物,为共轭性的主链提供电子通道,极性的侧链兼具实现聚合物的水或醇溶特性以及与金属形成良好的界面偶极相互作用。解决了电子从高功函数阴极注入效率低的问题,大幅提高器件性能。同时,早高效率印刷制备显示屏方面,采用PFN/导电银胶复合阴极,在国际上首次实现全溶液印刷RGB三基色OLED器件。也在国际上首次实现全溶液喷墨打印阴极制作的三基色OLED显示屏。

厦门大学康俊勇教授
 
  厦门大学康俊勇教授在“多场调控AlGaN量子结构及其在紫外光源的应用”特邀报告中表示,当前对寻找新型固态紫外光源非常紧迫,ALGaN半导体为不可替代的新型固态紫外光源材料。无汞污染、电压低、体积小、效率高、寿命长和利于集成的特点,有着更为广阔的应用前景。
 
  报告中提出了分层生长技术,实现了单分子层量子阱的外延;开发出调制表面工程技术,突破了宽带隙半导体内严格的杂质溶解度制约。设计定位Mg和Siδ共掺合多维超晶格结构,实现高Al组分AlGaN的Mg高效掺杂。发现量子结构中反常跃迁特性,掌握电流诱导应力场调控量子能级跃迁规律。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员
 
  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员介绍了“AlN 在蓝宝石衬底上的HVPE生长研究与缺陷表征”特邀报告。他表示,从半导体照明向“照明、显示与通讯”融合发展,大电流和小芯片密度是基本特点,是信息与功率的融合。光化学腐蚀对位错的选择刻蚀,得到无位错GaN纳米柱图形衬底,实现极低位错密度GaN单晶HVPE生长。与国际GaN衬底供应商对比,苏州纳维的位错密度和曲率半径均最好。

香港科技大学陈敬教授
 
  香港科技大学陈敬教授带来了“GaN-on-Si Power Devices and ICs”特邀报告。他表示,栅极技术是各项GaN-on-Si功率器件技术的分界岭。此外,陈敬教授还从从栅极输入端看GaN-on-Si横向功率器件,从栅极驱动看GaN Power IC。

科技部科学技术部高技术研究发展中心项目主管杨斌
 
  此外,科技部科学技术部高技术研究发展中心项目主管杨斌对国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项情况进行了简要介绍。按照第三代半导体材料与半导体照明、新型显示、大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料4个技术方向,共部署35个研究任务。专项实施周期为5年(2016 - 2020年)。2016年重点专项在4个技术方向已启动15个研究任务的27个项目。2017年拟在4个技术方向启动15个研究任务的37-74个项目,拟安排国拨经费总概算为8.38亿元。凡企业牵头的项目须自筹配套经费,配套经费总额与国拨经费总额比例不低于1:1。其中包括面向新一代通用电源的GaN基电力电子关键技术,超高能效半导体光源核心材料、器件及全技术链绿色制造技术,新形态多功能智慧照明与可见光通信关键技术及系统集成,用于第三代半导体的衬底及同质外延、核心配套材料与关键装备,新型显示产业链建设与产业化示范,高光束质量、低阈值、长寿命、低成本红绿蓝LD材料及器件关键技术与工程化研究等要点作为重点阐述。

广东省半导体产业技术研究院陈志涛副院长
  闭幕式上,广东省半导体产业技术研究院陈志涛副院长代表主办方作了会议总结。他表示,本届会议超预期,在参会人数和报告数量上均超预期。在为期两天的紧张会议进程中,大会共计吸引了来自全国各地科研机构、高校院所、知名企业代表500余人。会议收到投稿233篇,特邀报告10篇,分会邀请报告50篇,口头报告65篇,张贴报告113篇。与《半导体学报》合作,在资源的基础上,收到希望在学报发表的论文14篇,根据学报审稿标准择优推荐发表。本届会议还尝试创新设置了一场200余人的深度对话讨论,众多业界顶尖专家和代表参与对话,也是超预期成功。

  在优秀论文颁奖环节,经过大会专家委员会的严格审定,评选出十名优秀学术论文。郑有炓院士和郝跃院士为获奖代表颁获奖证书和奖品。
 
  本届会议还得到合肥彩虹蓝光科技有限公司、江苏华功半导体有限公司、上海正帆科技有限公司、北京妫水科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司、徳仪国际贸易(上海)有限公司、苏州纳维科技有限公司、Ceramicroforum 株式会社、西安格美金属材料有限公司和铂悦仪器(上海)有限公司的鼎力支持。上述单位,还在现场设置了展台展示,同与会代表展开广泛交流与合作。

西安交通大学王宏兴教授
  与此同时,经申请、组委会讨论,西安交通大学获得第三届全国宽禁带半导体学术会议承办权。西安交通大学王宏兴教授代表下一届承办单位介绍申办单位学术背景、举办地点及城市特色。

闭幕式现场

中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃
  最后,中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃作为顾问委员会专家为本届大会做了简要总结。他表示,本届宽禁带半导体学术会议参与人数之多,超过会前预期。会议设置紧凑,大会特邀报告和各分会专题报告都精彩纷呈,且含金量十足。宽禁带半导体在学术上的前沿探讨和学术引领,为研究人员带来新技术、新领域、新思路和新方向,很大程度上为我国战略性先进电子材料发展提供良好的支撑。希望,各参会代表能抓住良好机会,严谨治学,认真学习,专心做研究,把专业研究成果转化为工业应用,为实现科技强国伟大目标贡献力量。
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