第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。有数据显示，紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元，2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。应用的发展离不开技术的支撑，第三代半导体又将如何拥抱固态紫外市场？
2017年11月3日上午，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）之第三代半导体固态紫外器件技术分会在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店成功举行。中国电子科技集团第十三研究所、专用集成电路重点实验室为本次分会提供了协办支持。
分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。
日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大学教授三宅秀人、北京大学副教授许福军、中科院半导体研究所研究员张韵、华中科技大学教授陈长清、南京电子器件所工程师LUO Weike、中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波和南京大学教授陆海共同主持了本届分会。
日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA分享了高效率AlGaN深紫外LED的研究进展。日本三重大学教授三宅秀人做了“高温退火溅射AlN薄膜质量改善工艺研究”的报告，分享最新研究成果。
北京大学副教授许福军带来关于纳米图案蓝宝石基板生长高质量的AlN和AlGaN量子阱的报告。中科院半导体研究所研究员张韵做了纳米图案AlN/蓝宝石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取的报告，分享了关于深紫外LED的光提取增强、深紫外发光二极管溅射AlN模板、AlGaN／AlN激光纳米图案化的AlN模板等研究成果。
华中科技大学教授陈长清做了用于深紫外LED的高质量AlN和AlGaN 外延层的MOCVD生长的报告。
紫外激光器具有复杂的结构和更高的电流密度对半导体材料也提出了更高的要求。沙特国王科技大学助理教授李晓航做了“基于蓝宝石和B-III-N合金的III族氮化物深紫外激光器”的报告，分享了关于深紫外激光器的研究成果。中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜分享了具有倒反畴界的紫外LED的界面控制与发光研究。
