他介绍了高功率双面多芯片相桥IGBT模块的设计和特性，模块性能为1200 V / 600A。与传统的线焊IGBT模块相比，IGBT模块的功率密度有很大提高。
他表示，现在我们仍旧面临着一些挑战，因为它的传统模式会出现一些热阻挡，由于材料的限制，因此它只能在低温的情况下运作，而材料的可靠性也是有所缺乏，所以现在要去改善它的性能，并且提高运作的效率，我们要去使用高温可靠的材料。
我们也提出了一些解决方案，使用的是双边的半桥模型，使用的是杂散电感，芯片的双面都使用了这样的材料，从而降低热阻挡，并且在芯片的表面可以降低热扩散，也可以提高连接的可靠性。很多人已经提到了关于银的烧结连接头，它有很多的性能，有很多优势，比如热阻挡能力更强，可靠性更强，它的熔点，由于熔点高所导致的，比如说一个教授也提到我们将它的温度从40摄氏度提高到150摄氏度，而且我们也可以大大提高它的功率循环，这是非常好的一个进步。因此都说明的银的烧结连接头的性能是非常好的。
其中，模块采用纳米银浆作为芯片互连材料，避免了高温下的蠕变破坏，因而最高工作温度从125℃提高到175℃甚至更高。四个大面积IGBT芯片（1200V / 150A ，12.56mm×12.56mm），以及四个续流二极管（1200V / 150A）并联连接在一个DBC衬底上，形成一个电桥。制造的双面IGBT模块的尺寸仅为70mm×59mm×4.05mm。在不同的电流下，对此IGBT模块的热，机械，电气性能进行了表征。还进行了电源循环测试，来评估双面IGBT模块的可靠性，以验证模块设计的可行性。
无压的烧结工艺是可以对这种双边烧结来进行的，但是我们可以通过双边带进行控制的，我们制造了便的半电桥的模型，使用的是电基础化，不是上线连接这样的IGBT的器件是采用无压烧结方式，同时加上缓冲带，我们可以看到，通过这样一些工艺，性能和缓冲能大大提高。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
