2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”分会如期举行。分会重点关注超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，聚焦超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新应用和新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA，广西大学杰出教授、台湾大学荣退教授冯哲川， 西安交通大学教授王宏兴，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵，山东大学教授陶绪堂，郑州大学物理工程学院院长、教授单崇新，河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶，山东大学/济南中乌新材料有限公司王希玮等来自国内外的重量级嘉宾出席并带来了精彩报告。中科院微电子所教授，中国科学院院士刘明与厦门大学校长、南京大学教授张荣共同主持了本届分会。
会上，中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) β-Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于β型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。
β型氧化镓具有禁带宽度宽，兼容性比较长，同时热传导性也非常有优势。功率器件很多情况下是可以使用氧化镓的。在使用宽禁带材料的时候，可以大大缩小器件的体积，并且可以增加运行的频率，承受更高的电压、电流和产出功率。
报告中，结合具体的实验过程，龙世兵介绍了目前其团队在肖特基二极管设备方面使用β型氧化镓的研究成果。他表示，功率电极管与晶体管是相互依存的，可以用于肖特基二极管等，制造过程中需要100的速率，肖特基二极管表现出了非常好的性能。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
