2018年10月23-25日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。
10月24日下午，“固态紫外器件技术”分会如期举行，分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，华中科技大学教授陈长清，北京大学副教授许福军，三重大学助理教授永松谦太郎，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱，厦门大学教授黄凯，中南大学教授汪炼成，南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇，中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
AlGaN基深紫外LED吸引了人们越来越多的注意，因为其在杀菌，水净化，皮肤病治疗，生物探测等方面有着潜在的应用前景。由于蓝宝石衬底和AlGaN材料之间存在着很大的晶格失配和热失配，因而，多量子阱有源区的生长伴随着较高的位错密度，这导致更多非辐射复合的发生从而只能获得较低的内量子效率。所以，AlGaN基的深紫外LED目前仍未普及应用的主要原因是受限于其较低的量子效率。
华中科技大学教授陈长清带来了深紫外DUV-LED发光效率的提升策略的报告，结合具体的研究过程，他表示研究实现了在纳米图形化衬底上生长无裂纹的厚膜AlN层，纳米图形化衬底的实现是通过步进光刻机和ICP的刻蚀，其图案可以得到良好的控制和重复。AlN外延层的厚度可超过10微米，表面达到了原子级的平整。X射线衍射测量的（0002）和（1012）面的半高宽分别为165和185弧秒，这表明AlN外延层有着很好的晶体质量，从而可改善LED的内量子效率。此外，深紫外LED芯片内部的全反射会严重影响光提取效率和外量子效率。此外，在蓝宝石背面制备的蛾眼微结构能有效改善深紫外LED的光提取效率和外量子效率。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
