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中科潞安紫外光电邀请您参加“固态紫外器件与应用论坛”

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-11-30 来源:中国半导体照明网浏览次数:478
固态紫外应用论坛 (1)
2021年12月6-8日,以“创芯生态 碳索未来”为主题的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
 
期间,“IFWS & SSLCHINA 2021:固态紫外器件与应用分论坛“将于12月6日举行,论坛由中科潞安紫外光电科技有限公司、山西中科潞安半导体技术研究院有限公司、艾迈斯欧司朗、广州市鸿利秉一光电科技有限公司协办。其中,中科潞安紫外光电科技有限公司总经理、中科院半导体研究所研究员闫建昌将分享“提升深紫外LED的效率:从材料到器件”主题报告。
闫建昌
闫建昌
中科潞安紫外光电科技有限公司总经理
中科院半导体研究所研究员
闫建昌博士是中国科学院青年创新促进会会员,北京市科技新星计划入选者。长期从事氮化物半导体材料和器件研究,尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管(UVLED)领域十余年,负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目,取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域着名研究机构开展了学术交流合作,并与产业界建立了良好的互动合作关系。
 
主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”,国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上MOCVD外延出高质量AlN材料,材料质量为国际最好水平之一,研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”,成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇,申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项,2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖,2018年度北京市科技新星计划入选者。
 
同时,论坛特别邀请到南京大学教授,镓敏光电董事长陆海,香港科技大学教授李世玮,东京大学副教授、国际紫外线协会副主席、亚洲分会主席小熊久美子,美国普渡大学Lee A. Rieth讲席教授,国际紫外协会北美分会主席Ernest R. Blatchley III,中国家用电器研究院环境与健康相关产品检测所主任姚艳春,安吉尔集团中央研究院副院长张建芳,广州市鸿利秉一光电科技有限公司总经理吴乾,艾迈斯欧司朗市场经理范镓,深圳市易光科技有限公司董事长吴光敏,中国科学院生态环境研究中心副研究员李梦凯,艾欧史密斯(中国)热水器有限公司技术总监陈小波等代表性先进研究力量,分享固态紫外器件应用的最新进展。会议日程如下:
最新-固态紫外器件与应用论坛-A-固态紫外器件应用_2_副本
据了解,山西中科潞安紫外光电科技有限公司成立于2018年4月,由山西潞安矿业(集团)有限责任公司和北京中科优唯科技有限公司合作共建,注册资金4亿元。公司依托中国科学院在氮化物深紫外LED领域多年的雄厚技术积累,致力于建立一个以中国为生产基地、世界领先的紫外LED光源产品生产企业,提供具有世界领先水平的产品和系统解决方案。
 
公司拥有深紫外LED领域的多项自主知识产权和核心专利技术,范围涵盖了从设备制造、外延生长到芯片制造等产业链上多个环节,可提供全波段UV LED(UVA、UVB、UVC)系列产品。目前,公司正在建设首条年产3000万颗深紫外LED芯片生产线,预计2019年正式投产,二期将建设2亿颗产能的深紫外LED芯片生产线。
 
山西中科潞安紫外光电科技有限公司将本着创新、合作、共赢的经营理念,与合作伙伴共同推进深紫外LED产业的进步与发展。

 
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