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加码新技术 三安设立Mini/Micro LED研发基地

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-08-22 10:25   浏览次数:251
   据业内人士称,三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地,投资额为120亿元人民币(17亿美元)。
 
  消息人士表示,三安将在该研发基地展开GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K显示器的研发。与此同时,三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED芯片、750,000个GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000个4K显示器的年生产能力。GaN业务部门年产能将包括720,000个蓝光Mini LED芯片、90,000个蓝光Micro LED芯片、720,000个绿光Mini LED芯片和80,000个绿光Micro LED芯片,而GaAs业务部分年产能将包括660,000个红光Mini LED芯片和90,000个红光Micro LED芯片。
 
  然而,消息人士指出,三安光电目前尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。
 
  此外,三安光电已经与三星电子合作,共同开发Mini/Micro LED技术。
 
  而总部位于中国台湾的PlayNitride,则计划在2019年8月底开始试产多达3000片LED外延片,而三星也已选择PlayNitride作为其Micro LED外延片的独家供应商。
 
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