11月26日下午，“衬底、外延及生长装备” 分会如期召开。本届分会由中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。会上，日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身，美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭，俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV，郑州大学Mussaab I. NIASS，德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO，美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. ROWLAND，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH，厦门大学副教授林伟，中国科学院半导体研究所何亚伟等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚共同主持了本次分会。
提高宽禁带半导体GaN基体的晶体质量对于发展先进功率半导体器件至关重要。X射线衍射方法是表征晶体结构的关键技术。会上，日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身做了题为“同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化”的精彩报告。
坂田修身是日本兵库县佐用郡NIMS先进测量和表征中心同步辐射X射线组组长，也是日本筑波NIMS研究网络及设施服务部GaN分析表征中心的组长。目前的研究重点包括GaN晶片的结构表征以及功能金属纳米颗粒和氧化物薄膜的原子尺度结构以及电子态。
报告中，基于X射线衍射方法提出两种方法用于描绘单晶晶格的局部定向性。为了绘制基体或者薄膜表面区域局部晶面的整个形状，采用一种宽且单色性好的X射线束的反射模式。这个方法就是假设晶格倒格矢的轻微倾斜角分布在样品的表面，来决定垂直于样品表面的局部倒格矢的面内分布。并使用了两个等价的衍射几何关系分析了不同方位角的两套图像数据。
结合具体的实验，坂田修身介绍了实验装置及最近的研究成果。不仅包括2英寸GaN同质外延薄膜，4英寸衬底，镁掺杂的GaN薄膜，而且还包括非极性m面的同质外延薄膜。
为了研究衬底沿样品厚度的方向，研究团队使用具有非常窄的高度和宽的白光X射线的透射几何模式。并在实空间绘制了相同能量的X射线衍射强度分布图。报告中，坂田修身介绍了相关研究成果。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
