第三代半导体又称宽禁带半导体，禁带宽度在 2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈。
本期极智课堂邀请到了Crosslight software inc中国区总经理盛阳带来了“宽禁带微电子和光电子半导体器件的仿真和设计”的精彩主题分享。
宽禁带半导体材料按照元素数量可以分为单质，比如C(金刚石)、二元（GaAs InP SiC GaN AlN InN等）、三元（InGaAs InGaP AlGaAs ZnCdSe InAlP等）、四元（ZnMgSSe InGaAsP InGaAlP等）、五元（InGaAlPSb InGaAsNSb InGaNZnO）等。
按照族类分为IV-IV（SiC）、II-VI（ZnO HgCdTe等）、III-V（GaN GaAs InP GaSb等）、II-III-V-VI（InGaNZnO等）。
按照禁带宽度分为第二代半导体（GaAs InP等）、第三代半导体（SiC GaN ZnO等）。
电学光学热学物理模型类别，分为电学、光学、热学、力学、磁学，模型作用范围涉及材料本身（比如陷阱，掺杂，能带模型等）、材料之间（界面态、应力等）、器件局部区域（量子隧穿、弹道输运等）、器件整体（漂移扩散、波导模式等）。
器件仿真的作用涉及正向研究，比如仿真拟合测量结果，分析和优化器件结构，进而实现更高器件性能、更节约成本的结构方案、减少流片次数。
器件仿真的机理探索，主要涉及分析器件内部机理，进而发现新的外延结构、发现新的器件类型、发现复合器件结构。
器件仿真的拓展方向，涉及融会贯通所有半导体材料特性、半导体结构类型、半导体器件类型等。
器件仿真连接上下游，比如基于原子分子物理的材料特性计算、基于原子物理的动态过程计算、基于麦克斯韦方程组的电磁波计算。
报告中详细分享了SiC/GaN/GaAs/InP基微电子器件的仿真设计及案例、宽禁带半导体发光器件的仿真设计及案例、宽禁带半导体吸收光器件的仿真设计及案例、器件+电路的混合仿真等。
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文字仅为部分内容摘要呈现，报告详细丰富，技术与趋势兼有，信息含量大，建议观看直播回放。
