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【IFWS2020】功率电子器件及封装技术前沿展望之氮化镓专场

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-11-10   来源:中国半导体照明网  浏览次数:558
2020年11月23-25日,第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
功率电子器件及封装技术
其中,功率电子器件及封装技术分会主题涵盖碳化硅/氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、碳化硅/氮化镓功率电子器件栅驱动设计、高效高速碳化硅/氮化镓功率模块设计与制造,碳化硅/氮化镓封装技术和碳化硅/氮化镓功率应用与可靠性等。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议,呈现碳化硅/氮化镓功率电子器件及封装技术研究与应用的最新进展。
 
浙江大学教授盛况与电子科技大学教授张波共同担任分会中方主席,美国弗吉尼亚大学教授、天津大学教授陆国权与加拿大多伦多大学教授吴伟东共同担任分会外方主席。中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员柏松、西安电子科技大学教授张进成、大连芯冠科技有限公司总经理梁辉南、西安交通大学教授王来利、中山大学教授刘扬等精英专家们担任分会委员。
 
SiC和GaN作为第三代半导体材料的典型代表,也代表了功率电子器件的发展方向,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
 
本届分会的氮化镓专场,美国康奈尔大学电气和计算机工程教授Huili Grace XING,南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱,中国空间技术研究院北京卫星制造厂宇航电源产品首席专家万成安,电子科技大学教授周琦,北京大学副教授王茂俊,华南师范大学教授王幸福,中山大学黎城朗等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表围绕着氮化镓功率器件及封装技术主题将带来精彩报告,分享前沿研究成果,值得期待。
 
紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策,以“把握芯机遇·助力新基建”为主题,届时两场国际性盛会同台亮相,先进技术热点高度聚焦,政产学研用行业领袖齐聚,共商未来产业发展大计。
 
11月23-25日,深圳会展中心见!

会议具体议程如下:
 
氮化镓专场-P202功率电子器件及封装技术
 
更多大会详细设置与内容请参加大会官网:
http://www.sslchina.org/
 
部分嘉宾
盛况
分会中方主席:盛况  浙江大学浙江大学电气工程学院院长,求是特聘教授
长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
 
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ?cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
张波
分会中方主席:张波  电子科技大学教授
从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,多次担任国际会议功率半导体分会主席,2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议(ISPSD)技术委员会(TPC)成员(全球功率半导体最高级别专业会议,张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者),2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)主攻功率半导体技术研究。
 
电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流,致力于功率半导体科学和技术研究,研究内容涵盖分立器件(从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS,从硅基到SiC和GaN)、可集成功率半导体器件(含硅基、SOI基和GaN基)和功率集成电路(含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等)。
 
近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文,论文数位列全球前列以后,2015年在TED上发表8篇文章,论文数再次列全球前三(在固态功率与高压器件领域居全球第一)。
 
实验室在功率半导体技术领域已申请中国发明专利800余项,与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目;面向市场研发出100余种产品;为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结(SJ)MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台,部分产品打破国外垄断、实现批量生产,已销售数亿只。
陆国权
分会外方主席:陆国权  美国弗吉尼亚理工大学终身教授
1992年进入美国弗吉尼亚理工大学工作,曾获美国国家自然科学基金Career奖,2003年成为弗吉尼亚理工大学终身教授,美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心CPES骨干科学家。他已成功在功率半导体器件和模块中实现倒装焊、球栅阵列和旋涡阵列连接,双面冷却封装,平面化封装等专利技术。他是纳米银焊膏的专利发明人,曾获得美国R&D 100大奖。迄今他已先后在电子封装期刊及会议发表学术论文逾220篇,其中100余篇被SCI收录。授权美国发明专利4项,公开发明专利1项,授权中国发明专利6项,公开中国发明专利13项。
吴伟东
分会外方主席吴伟东  加拿大多伦多大学电子与计算机工程学部教授
研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺,他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。1990年获得多伦多大学的博士学位后,吴教授加入德州仪器公司,开发适用于汽车应用的功率晶体管。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年,吴教授加入多伦多大学,组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队,拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。
Huili Grace XING
Huili Grace XING   美国康奈尔大学电气和计算机工程教授
研究重点是III-V型氮化物,2-D晶体,氧化物半导体,最近研究多铁性材料,磁性和超导材料的开发:生长,电子和光电器件,尤其是材料性能与器件开发以及高性能器件之间的相互作用,包括RF / THz器件,隧道场效应晶体管,功率电子器件,DUV发射器和存储器。她曾获得AFOSR青年研究者奖,NSF职业奖和ISCS青年科学家奖。
于洪宇
于洪宇  南方科技大学深港微电子学院院长、教授
在第三代半导体领域承担了与华为/方正微电子等公司的横向课题,使得GaN功率器件在其公司的p-line生产,目前承担一项6寸硅基GaN功率器件产业化的广东省重大专项。在电子陶瓷领域创办南湾通信科技有限公司,成功吸引天使投资1500万用于量产介质滤波器。在集成电路工艺与器件方面,包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成(GaN HEMT) 、以及电子陶瓷方面发表学术论文近400篇,其中近180篇被SCI收录,总他引次数近5000次,H 影响因子为39。编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及30项以上国内专利。数十次做国际学术会议邀请报告,担任若干国际会议TPC member 以及session chair。任中国最高综合类学术期刊Science Bulletin(科学通报英文版)副主编以及《Journal of Semicondictor》编辑。作为项目负责人,承担超过7000万人民币国家/省/市/以及横向科研项目(包括新加坡主持项目)。

代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同成功筹建深圳第三代半导体研究院,并担任副院长。与清华大学共同牵头成功筹建广东省未来网络高端器件制造业创新中心,成功筹建南科大深港微电子学院(被教育部批准为国家示范性微电子学院)以及未来通信集成电路教育部工程研究中心。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心,并成立团队。入选首批国家“千人计划”(青年项目),广东省科技创新领军人才,享受深圳市政府特殊津贴,英国工程技术学会会士(Fellow of IET)。
孙钱
孙钱  中科院苏州纳米所研究员
中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士(郭沫若校长奖获得者)、美国耶鲁大学博士(耶鲁工学院Becton奖获得者),国家技术发明一等奖获得者,国家优秀青年基金获得者,首批国家特聘青年专家,江苏省“双创人才”,中国电子学会优秀科技工作者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。
 
长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与企业的产学研实质性合作,带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术,并在全球率先产业化,年销售逾4亿元。2016年成功研制出国际上首支硅衬底GaN基激光器,入选中国光学重要成果和科技部高新技术领域创新进展报告。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等。
 
迄今为止,在NaturePhotonics、Light: Science & Applications等国际学术期刊上发表了100余篇学术论文,是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。现兼任中国物理学会发光分会第十四届委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第十二届编辑委员会委员、《发光学报》第一届青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。
万成安
万成安  中国空间技术研究院北京卫星制造厂宇航电源产品首席专家
万航天科技集团公司电源与供配电学科带头人,航天五院宇航电源产品首席专家,多年从事空间电源及能源系统技术研究工作。获发明专利10项,发表论文50余篇。
周琦
周琦  电子科技大学教授
专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究,尤其在氮化镓(GaN)功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN(GaN-on-Si)栅控横向功率整流器新结构,器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术,利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能达到国际领先水平。
研究成果发表于行业顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Trans. on Electron Devices》、《IEEE Microwave and Wireless Components Letter》及国际顶级会议IEDM、ISPSD。目前已在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE MWCL等本领域顶级期刊和IEDM、ISPSD等国际顶级会议共发表论文52篇。研究成果被功率半导体世界最著名学者J. B. Baliga (IEEE fellow, 2010年美国国家科学技术奖获得者)发表于Semicond. Sci. and Tech.的 Invited Review Paper及中国科学院院士郝跃教授的综述性文章作为高压 InAlN/GaN HEMT的代表性工作所引用。参加国际重要学术会议15次,邀请报告1次,口头报告4次。申请中国发明专利5项。被IEEE-TED和IEEE-EDL评为2013及2014年度金牌审稿人(Golden Reviewers)。
王茂俊
王茂俊 北京大学微纳电子学系 副教授
主要从事GaN、Ga2O3等宽禁带半导体功率电子器件的结构、工艺及可靠性物理研究,在国际主流期刊和会议上发表学术论文50余篇,承担了自然基金、重点研发等多项课题。
 
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