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新洁能拟定增募资不超过14.5亿元,用于第三代半导体功率器件及封测等项目

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-11-12   来源:集微网  浏览次数:180
11月11日晚间,新洁能发布公告,拟定增募资不超过14.5亿元,用于第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化、功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化、补充流动资金。

新洁能

据其在公告中表示,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体典型材料,其研究与应用是目前半导体研究的前沿和热点,是行业未来发展的主流趋势。
 
第三代半导体SiC/GaN具有禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电常数小和抗辐射能力强等特点,具有强大的功率处理能力、较高的开关频率、更高的电压驱动能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散热能力,可满足现代电子技术对高温高频、高功率、高辐射等恶劣环境条件的要求。
 
在部分高端下游应用领域,宽禁带半导体功率器件具备不可替代的优势,切合节能环保、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,已成为支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速列车、航海航空等产业自主创新发展和转型升级的重点核心电子元器件。
 
其强调,通过本募投项目的实施,有助于公司顺应半导体功率器件行业发展趋势,提前布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件产品,实现公司产品结构升级,从而进一步强化公司在半导体功率器件高端应用市场的核心竞争力。
 
此外,公司宽禁带半导体功率器件的性能已得到国内外的公认,相关的衬底生产工艺、外延工艺、器件制备工艺等也逐步成熟。半导体功率器件部分下游行业需求逐渐由硅基向SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件转变,尤其以新能源汽车、充电桩、光伏逆变、5G通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业成为SiC/GaN产品规模扩张的主要动力。
 
该公司认为,当下是进入SiC/GaN等半导体功率器件市场领域的机遇期。《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出,2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
 
而公司作为国内半导体功率器件十强企业之一,需把握全球宽禁带半导体功率器件的发展契机,抓住机遇窗口,实现在宽禁带半导体领域的技术突破。通过本募投项目的实施将有助于公司加快SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的研发及产业化进度,抢占宽禁带半导体功率器件的技术高地,从而巩固公司在国内的领先地位。
 
据悉,不同于“硅基”半导体材料及半导体产业与国际先进水平存在较大差距,我国在宽禁带半导体技术领域的研究工作与国际前沿水平差异相对较小,且虽然现有技术与国际先进水平仍存在差距,但随着全球半导体产业逐步向亚洲转移,国内产业实力不断提升,同时依托5G通信、新能源汽车、物联网、智能装备制造、光伏发电等新兴产业带来的广阔市场空间、以及上下游产业链的协同,我国已经初步具备发展宽禁带半导体产业的能力。
 
该公司还表示,通过本募投项目的实施,有助于公司加大研发投入,充分借助目前在硅基半导体功率器件方面的技术基础,实现公司产品和技术向宽禁带半导体领域的过渡,缩小与国际半导体功率器件一流企业的技术差距,从而提高国际竞争力。
 
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