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国星光电披露2021年报,净利同比翻倍,MiniLED背光产品实现批量出货

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-03-24 来源:证券时报浏览次数:371
3月23日晚间,国星光电(002449)披露2021年年报,公司实现营业收入38.06亿元,同比增长16.64%;净利润2.03亿元,同比增长100.28%;基本每股收益0.3275元。公司拟向全体股东每10股派发现金红利0.50元(含税)。
 
加快推进新市场开发
 
年报显示,2021年,在通用照明出口带动、显示市场回暖、Mini背光渗透率迅速提升等因素的带动下,LED行业整体回温。受益于出口替代转移效应的持续、国内宏观经济复苏以及Mini新兴市场起量,LED行业从疫情中步入复苏,但受疫情反复及行业周期性等因素影响,行业整体复苏进程较为曲折。
 
报告期内,公司加大对新市场新领域的开拓,优化客户结构及产品结构,提升核心产品在中高端市场的竞争力和市场份额,加快推进新市场新客户开发。公司紧跟行业发展动态,重点布局照明、显示、背光等应用领域新兴市场,同时开辟第三代半导体新赛道。
 
MiniLED方面,目前公司产品布局实现P1.5-P0.4全系列覆盖。其中,公司在报告期内推出的IMDM04产品率先采用了全球封装密度最高20in1MiniLED技术方案。IMD-M09实现量产并荣获“LED显示供应链创新年度产品奖”;MiniLED背光方面,公司坚持MiniPOB、MiniCOB及MiniCOG三大封装技术路线并行发展,应用场景覆盖TV、高阶显示器、PAD、笔电、车载等终端显示领域。报告期内,公司MiniLED背光产品实现批量出货,并与国际知名大厂达成战略合作关系。
 
MicroLED方面,自2018年公司成立国内“Micro&MiniLED研究中心”以来,研究中心积极进行前瞻技术储备,为超高清显示发展奠定坚实的技术基础。报告期内,公司成功开发出高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术,有效解决了MicroLED红光芯片良率低、光效低、巨量转移难度高的技术痛点,进一步提高良率,减少修复,从而降低成本,对推动高分辨率MicroLED全彩化显示有着重要的意义。

积极布局第三代半导体
 
第三代半导体方面,报告期内,国星光电推出了SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件3大系列产品。其中,SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作,可迅速响应对接客户个性化的需求;SiC功率分立器件产品产线已投入使用,并完成了多个合作商的试产订单。
 
同时,公司也积极布局三代半上游外延芯片领域,子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备,并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作,并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。
 
在高端细分市场及新兴应用领域方面,公司在报告期内率先推出了全无机UVLED产品,现已形成完善的全无机UVLED产品系列;UVCLED依托较为先进的封装工艺和光学设计,在国内率先将中小功率产品WPE提升至5.6%;在新兴领域,公司推出智能健康感测器件并实现量产,产品可广泛应用于智能手表、智能手环、VR等设备场景,目前公司正与国内外品牌厂商联手合作,共同发力可穿戴设备新赛道。
 
报告期内,公司牵头、联合华南理工大学等高校共建的“广东省半导体微显示企业重点实验室”,专注超高清半导体微显示领域研究,取得全球首发的P0.4IMD、研制行业最高发光效率的量子点LED器件等多项突破;截至2021年12月31日,公司及子公司共申请专利1016项,授权专利数量共704项,其中,Micro/Mini领域公司申请国内外专利202项。
 
国星光电表示,Mini/MicroLED作为新一代核心显示技术,具有不可替代的优势,正逐步成为新型显示市场的主流解决方案。2021年以来,业内诸多龙头企业相继发布相关产品,Mini/MicroLED新型显示技术的产业化应用进入了关键时期,随着投资企业不断增加,产业链参与范围不断扩大,在政府、企业和资金的共同推动下,Mini/MicroLED产业发展将进入快车道
 
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