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国星光电开发出Micro LED nStar Ⅱ,巨量转移及键合良率达99.99%

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-09-09 浏览次数:276
据国星光电官微,随着5G时代超高清显示新应用日渐兴起,Micro LED作为新一代主流显示技术备受关注,该技术具有高分辨率、高亮度、高色彩饱和度、高可靠性、低功耗、低延时、窄边框、寿命长等诸多优势,可广泛用于大尺寸的超高清视频墙和智慧屏、中小尺寸的车载屏和智能手表以及VR/AR等各种尺寸的电子消费品领域,未来前景可期。
 
国星光电继第一代玻璃基透明被动驱动Micro LED显示模组——nStar Ⅰ之后,近日,公司又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。nStar Ⅱ为一款3.5英寸玻璃基Micro LED全彩显示屏,像素间距300微米(P0.3),采用TFT驱动实现了8bit(256灰阶)色深的显示效果;基于自主搭建的Micro LED 技术创新研发平台,同时突破了巨量转移及巨量键合双重技术难题,其综合良率提升至99.99%,相关技术成果未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。
Micro LED Display:nStar Ⅱ
 
nStar Ⅱ玻璃基主动式驱动Micro LED显示屏是通过巨量转移技术将Micro LED微型芯片键合到玻璃基板上,利用TFT驱动实现高清画面显示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工艺迭代过程中,可在大面积上获得超精细线路结构的TFT玻璃基板是理想的技术选择。主动式驱动TFT背板既能实现Micro LED模组像素独立控制,避免驱动像素串扰,又能在提升模组显示亮度均匀性的同时大大降低功耗。
国星光电作为LED封装技术的领跑者,自2018年国内率先成立Mini & Micro LED研究中心后,2020年又成立了广东省半导体微显示重点实验室,旨在加强与学术界及产业界协作,联手产业链上中下游各个环节,集中优势资源攻克微显示行业技术性难题,合力打破技术发展瓶颈,共同推进Mini/Micro LED产业化进程。目前,公司已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破,Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件。接下来,国星光电布局深耕新型微显示赛道,在玻璃基Micro LED技术路线方面,将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表;在硅基Micro LED技术路线方面,重点布局AR显示领域。
 
数字时代,显示产业已经成为升级信息消费、壮大数字经济、发展电子信息产业的关键基石。Mini/Micro LED的时代正在到来,国星光电将进一步发挥LED垂直产业链资源整合优势,加速推动更全面、更广泛的Mini/Micro LED商业化显示应用。
 
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