首页
资讯
企业
供求
专题
会展
联盟
资讯
企业
供求
专题
会展
热搜:
照明
SSLCHINA
项目
技术
三安光电
市场
CSA
SSL
飞利浦
苏州
唐
植物照明
聚飞
植物灯
led
互联网
当前位置:
首页
»
资讯
»
搜索
关 键 词:
智能
标题
全文
简介
作者
所属分类:
不限分类
产业资讯
├产业
│ ├汽车照明
│ ├智慧照明
│ ├设施农业
│ ├健康照明
│ ├智慧路灯
│ ├建筑照明
│ ├景观照明
│ ├新型显示
│ │ ├OLED
│ │ └Micro LED
│ ├激光照明
│ └新材料
├企业动态
├新兴领域
│ ├充电桩
│ ├智能制造
│ ├无人机
│ ├3D打印
│ ├人工智能
│ ├物联网
│ └5G通信
├产业财经
├第三只眼
├第三代半导体
├产业研究
├一带一路
├会议展览
├众创空间
└English
产品资讯
├芯片
├封装
├应用
├原材料
├仪器设备
└配件
技术
├技术前沿
├应用技术
└基础知识
市场动态
├国内
└国际
人物访谈
├行业专家
├企业精英
├跨界
└资本+
政策趋势
├科技部
├发改委
├财政部
├工信部
├十城万盏
├媒体解读
├地方动态
└部委声音
光 友 汇
设计空间
├经典案例
└创意构思
检测认证
专利标准
├专利
└标准
人才培养
├人才动态
├CETTIC培训
├技术讲座
└认证
招标采购
资本前线
工程案例
排序方式:
结果排序方式
按相似度排序
按添加时间排序
按浏览人气排序
2022-12-22 12:06
中科潞安牵头大功率深紫外
AlGaN
基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
2020-12-08 16:11
三安光电副总经理张中英:UVB & UVC
AlGaN
基深紫外LED器件的最新进展
2020-09-18 11:30
北京大学教授沈波:
AlGaN
基深紫外发光材料和器件技术进展
2020-01-15 00:00
新发现:新型衬底PSSA可显著提高
AlGaN
UV LED的效率
2020-01-14 11:30
新发现:新型衬底PSSA可显著提高
AlGaN
UV LED的效率
2019-12-11 17:39
挪威科学技术院院士Helge WEMAN:采用石墨烯衬底和透明底部电极的
AlGaN
纳米线外延 UV LED
2019-11-28 14:13
挪威科学技术院院士Helge WEMAN:采用石墨烯衬底和透明底部电极的
AlGaN
纳米线外延 UV LED
2019-11-27 11:21
日本德岛大学周继禹:高铝组分的
AlGaN
/GaN异质结pH传感器
2019-11-27 10:38
日本德岛大学教授敖金平:常关型
AlGaN
/GaN HFET功率器件的发展
2018-11-08 14:53
日本名城大学副教授Motoaki IWAYA:
AlGaN
激光的现状与问题
2018-11-02 08:49
西安电子科技大学赵子越博士:基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的
AlGaN
/GaN高电子迁移率晶体管
2018-11-01 18:41
厦门大学教授黄凯:深紫外
AlGaN
多量子阱纳米柱LED中内量子效率和光提取效率的增强
2018-11-01 10:47
沙特阿卜杜拉国王科技大学Kazuhiro Ohkawa教授:用于生长优化和反应器设计的
AlGaN
MOCVD仿真
2018-11-01 09:47
北京大学副教授许福军:高质量AlN外延生长及
AlGaN
基深紫外LED研究
2018-07-27 09:10
KAUST大学开发奈米
AlGaN
发光装置,可提升UV LED效能
2017-11-07 18:09
中科院微电子所研究员黄森:基于超薄壁垒
AlGaN
/ GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造
2017-11-07 18:04
张连:选择区域生长
AlGaN
/GaN异质结双极晶体管的n-
AlGaN
发射器
2017-11-07 16:02
挪威科学技术大学教授Helge WEMAN:石墨烯/玻璃上
AlGaN
纳米线倒装紫外LED生长
2017-11-06 17:24
北京大学副教授许福军:纳米图案蓝宝石基板生长高质量的AlN和
AlGaN
量子阱
2017-11-06 16:29
日本理化学研究所量子光电设备实验室首席科学家Hideki HIRAYAMA :高效率
AlGaN
深紫外LED的研究进展
2017-11-05 16:03
中科院半导体研究所研究员张韵:纳米图案AlN/蓝宝石模板上
AlGaN
深紫外LED和
AlGaN
/AlN激光器光提取
2017-11-05 14:40
南京电子器件研究所高级工程师吴少兵:W波段
AlGaN
/GaN MMIC 功率放大器
2016-11-22 13:00
【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅衬底
AlGaN
/GaN基HEMT的异质外延生长和器件特征
2016-11-21 08:39
【IFWS 2016】孔月婵:fT > 260 GHz时高性能超薄第四组In
AlGaN
势垒HEMT器件
2016-11-21 08:37
【IFWS 2016】吕元杰: 采用凹栅工艺提升
AlGaN
/GaN HFETs器件性能
2015-11-05 09:57
【SSLCHINA 2015】杨学林:采用较大晶格失配引致应力控制技术在Si衬底生长高迁移率
AlGaN
/GaN异质结
2015-09-14 09:05
863计划在半导体深紫外发光器件领域取得重要进展
2013-12-17 00:00
日本研究低阻值的n-
AlGaN
可提升15%电光转换效率
相关搜索
在
企业
找 AlGaN
在
供求
找 AlGaN
在
专题
找 AlGaN
在
会展
找 AlGaN
您是不是在找?
约
9
条
AlGaN/GaN
约
2
条
n-AlGaN
今日搜索排行
497条
SSLCHINA
1859条
项目
19589条
技术
20631条
照明
2条
LED植物照明工厂
3796条
市场
258条
SSLCHINA2
134条
苏州
2条
csa年度评选
622条
SSL
本周搜索排行
937条
半导体照明
9078条
LED照明
3条
苏州能讯
78条
技术创新
131条
新技术
145条
led照明市场规模
10条
调研CSA
4条
ssl标准
2条
低碳技术
3条
飞利浦照明LED系统组件
本月搜索排行
497条
SSLCHINA
2条
csa年度评选
258条
SSLCHINA2
5条
LED工程项目经理
2条
三安光电/木林森
54条
SSLCHINA2016
83条
SSLCHINA2014
2条
LED植物照明工厂
1859条
项目
2条
中国植物照明
关于我们
|
联系方式
|
使用协议
|
版权隐私
|
诚聘英才
|
广告服务
|
意见反馈
|
网站地图
|
RSS订阅
©2004 CHINA-LED.NET 版权所有
京ICP证110878号
京公网安备 11010802040547号