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厦门大学教授黄凯:深紫外AlGaN多量子阱纳米柱LED中内量子效率和光提取效率的增强

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-11-01 18:41   来源:中国半导体照明网  浏览次数:359
   2018年10月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。
 
  10月24日下午,“固态紫外器件技术”分会如期举行,分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
 
  美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜,华中科技大学教授陈长清,北京大学副教授许福军,三重大学助理教授永松谦太郎,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱,厦门大学教授黄凯,中南大学教授汪炼成,南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告,并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
黄凯1
 
  会上,厦门大学教授黄凯带来了深紫外AlGaN多量子阱纳米柱LED中内量子效率和光提取效率增强的报告,结合研究实践介绍了制备的高度有序的AlGaN基深紫外纳米柱LED阵列等内容。通过纳米压印和自上而下的干蚀刻技术,其研究团队制备了高度有序的AlGaN基深紫外纳米柱LED阵列。这些高度有序的周期性结构和形貌可由SEM和TEM直接观测到。与平面样品相比,CL测试表明纳米柱样品在量子阱发光波段约277nm处,体现出1.54倍的光提取效率增强和15.6倍的内量子效率增强。光提取效率增强可归因于空气和外延层之间质量良好的纳米结构界面。此外,量子限制斯塔克效应的减弱使得内量子效率得到大幅提高。
黄凯报告1
黄凯报告2
  (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
 
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关键词: 固态紫外 LED SSLCHINA
 
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