第三代半导体材料项目管理办公室组织专家开展了课题的中期现场检查工作
2015年9月13日，第三代半导体材料项目管理办公室组织专家开展了课题的中期现场检查工作。课题组汇报了在AlN和AlGaN材料外延制备、掺杂、高效量子结构设计与实现的创新性工作。
通过多周期中温插入层、高低温调制、衬底氮化处理及微米级图形衬底等技术，降低材料的位错密度，获得了表面粗糙度小于0.2纳米，Al组分在30-90%连续可控的AlGaN材料。在高质量外延材料的基础上，课题组成功制备出深紫外激光二极管（LD），在国内率先实现波长在280 纳米左右的AlGaN基深紫外激光器光泵浦激射，标志着我国相关研究步入国际先进行列。
通过多周期中温插入层、高低温调制、衬底氮化处理及微米级图形衬底等技术，降低材料的位错密度，获得了表面粗糙度小于0.2纳米，Al组分在30-90%连续可控的AlGaN材料。在高质量外延材料的基础上，课题组成功制备出深紫外激光二极管（LD），在国内率先实现波长在280 纳米左右的AlGaN基深紫外激光器光泵浦激射，标志着我国相关研究步入国际先进行列。
图2 AlGaN基紫外激光器的光泵浦激射：主发光峰为288纳米
