课题实施以来，课题组在Si衬底上半极性面GaN外延、蓝宝石衬底上绿光量子阱外延、高空穴浓度GaN p型层、激光器绿光谐振腔制作等方面取得了一系列的进展，主要成果包括：半极性面GaN外延层位错密度达到106 cm-2量级，蓝宝石衬底上GaN外延层XRD半高宽(002)小于240 arcsec、(102)小于280 arcsec，GaN外延单层空穴浓度达到3.4x1017 cm-3，并获得了平整的激光器腔面。
专家组认为该课题总体进展良好，基本按照节点任务要求完成了阶段性研究目标，以上成果的取得也为最终完成课题目标奠定了基础。
