论坛期间举办的各类同期活动更可谓是一场场思想碰撞的精神盛宴。
3日下午，在论坛隆重召开之际，2015中国国际第三代半导体技术与应用高峰论坛在深圳会展中心五层玫瑰厅如期举行，来自与第三代半导体相关的科研院所、研发机构、大专院校、龙头企业、工程设备公司等代表也如约而至，共同探讨第三代半导体发展、技术前沿与应用趋势，为抢占国际半导体领域战略制高点献计献策。
北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心副主任沈波；香港科技大学教授陈敬共同主持了本次论坛。
会议现场
以GaN、SiC为代表第三代半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
据预测，到2020年，第三代半导体技术的应用将催生我国在上述几大领域出现上万亿元的潜在市场价值，届时将带来巨大的市场应用空间。
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长
北京国联万众半导体科技有限公司总裁吕志辉
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长、北京国联万众半导体科技有限公司总裁吕志辉在主题为“第三代半导体产业技术创新战略及发展模式”的报告中指出，近十年，第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破；第三代半导体光电器件、电力电子器件和射频功率器件以极具竞争力的态势进入市场。
第三代半导体是满足“创新驱动发展”国家战略需求、抢占未来产业发展制高点、支撑国民经济可持续发展不可或缺的先进电子材料，它的突破将引发科技变革并重塑国际产业格局。
当前，我国政府十分重视第三代半导体材料与器件的研发及产业化，在政府的持续部署支持下，我国材料研发的整体水平与国际差距不大，如第三代半导体材料第一个产业化的应用——半导体照明已经在关键技术上实现突破，创新应用国际领先；在第三代半导体电子器件应用方面，在移动通讯、光伏逆变、雷达领域已有少量示范应用。
吕志辉表示，未来十年，将兴起一场以半导体超越照明技术、宽禁带节能电子技术、宽带移动通讯硬件技术、先进雷达技术为主要内容的半导体科技革命；进而引发一场信息和能源技术革命，推动第三代半导体产业爆发性成长。
因此，第三代半导体材料的发展应聚焦国家重大需求，明确企业主体作用，大力发挥区域产业优势的协同创新。
实行全链条战略，理清产业链、明确创新链、打通资金链，做到上游技术突破、中游产业化领先、下游应用市场主导。
采用创新基地发展战略，在优势地区（技术、人才、资金、市场）建设国家重大创新基地，以新的机制、体制、组织形式，跨领域、跨部门、跨区域集中组织实施面向国家战略的协同创新，强化资源整合和开放合作，推动产业集群式发展,形成辐射全国的技术转化网络。
大力发展示范，以产业示范推动技术与资本、人才的深入融合，推进第三代半导体联合创新基地建设，促进产业集群式发展，从而引领产业发展。
充分发挥联盟、学会、协会等行业组织在整合资源、产学研对接、公共服务等方面作用。“现有的这些组织为第三代半导体技术提供了跨界创新、应用集成和转移转化的重要载体。”吕志辉表示。
此外，吕志辉还进一步介绍了第三代半导体产业技术创新战略联盟以及联盟未来的工作思路。
他表示，第三代半导体产业技术创新战略联盟是在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业等41家单位自愿发起筹建的，于9月9日在北京会议中心召开了成立大会，选举CSA秘书长吴玲女士为联盟首届理事长，并将秘书处设在北京国联万众半导体科技有限公司。今天下午，联盟又召开了技术委员会并宣布了28位委员会专家名单。
“未来，联盟将以国家需求和市场需求为目标，联合企业和社会资本建立一个创新平台，以此来完成产业联合创新体系的建设。”吕志辉还向在场嘉宾介绍了联盟未来工作的三大方向：推动协同创新中心建设、建立产业发展基金和产业综合服务平台。
