MOCVD作为半导体照明的关键设备，一直是业界关注的焦点，其技术发展与半导体照明的过去现在以及未来都密切相关，同时作为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术，未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
本届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2016）期间，与MOCVD设备代表厂商德国爱思强股份有限公司一起组织了一场针对MOCVD技术的研讨会，邀请了来自设备及外延、材料等相关技术领域的骨干精英齐聚一堂，共同论道，带来了MOCVD及相关技术的最新进展。
研讨环节，淮安澳洋顺昌光电技术有限公司外延部部长芦玲分享了AIX R6用于高良率氮化镓LED的大规模生产。
IMEC外延生长事业部资深研究员梁琥带来了AIX GS+(用于200mm衬底上) p-GaN HEMT电力电子器件的生产的技术成果分享。
激光器、紫外LED都是当前研发热点，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所器件部副主任、晶能光电有限公司研发部副总裁孙钱带来了GaN基激光器与近紫外LED的研究进展。
河北半导体所（十三所）外研部副部长李佳，分享了碳化硅同质外延技术进展。
艾强（上海）贸易有限公司工艺部门经理、方子文博士 介绍了宽紧带半导体固态紫外器件的相关研究进展。
德国爱思强股份有限公司研发副总裁Michael Heuken教授，针对下一代电子和光电器件的二维纳米材料做了精彩分享。
