第二届全国宽禁带半导体学术会议即将启程　　

发布日期：2017-07-25 来源：中国半导体照明网浏览次数：588

　　8月10日-12日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会主办，广东省科学院、广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办的第二届全国宽禁带半导体学术会议将在青海省会西宁召开。

　　近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。

　　第二届全国宽禁带半导体学术会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。

　　强大的嘉宾团加上高质量的内容，将带来一场宽禁带半导体领域的一场别开生面的交流盛会，也为本届会议凝聚了超高的人气。值得一提的是，本届嘉宾阵容星光熠熠，超高规格，其中原国家科学技术部副部长曹健林，中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓将领衔担任名誉主席。同时大会更是集结了来自中国科学院、中国工程院的多位院士，以及全国宽禁带半导体照明领域的优势力量共同坐镇，为大会提供强有力的支持。

　　大会也受到高度关注，不仅收到了大批高质量的论文，而且各大科研机构、高校、名企也积极派代表报名参会。据组委会介绍，截止日前，已有投稿170余篇，大会邀请报告10篇，分会邀请报告近40篇。

　　氮化镓(GaN)以及碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地，被认为或将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。从报告内容来看，围绕第三代半导体的前沿发展、技术应用、产业化等多个维度都将有重量级的报告呈现。既有宽禁带半导体的发展新动向，亦有碳化硅、氮化镓材料，以及器件等的最新研究进展及发展方向，将以开阔的视野展现宽禁带半导体领域的现在与未来，非常令人期待。

　　实际上，为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强交流与协同创新，由中国电子学会电子材料学分会发起并主办、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办的第一届全国宽禁带半导体学术会议于2015年10月31日-11月2日在苏州成功举行，参会规模近500人。

　　2014年5月在扬州召开的13届全国MOCVD会议期间，会议主办方中国有色金属学会时任主要领导深刻感受到宽禁带半导体材料与器件蓬勃发展态势，并意识到后续广阔发展前景，决定推动依托中国有色金属学会成立一个专业委员会，以搭建一个能持续稳定推动我国宽禁带半导体发展的平台。经过20个月的筹备,最后报中国科协备案，成立了全国性宽禁带半导体学术组织--中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会,并于2015年12月11日在广东省东莞市隆重举行成立仪式暨首届宽禁带半导体学术研讨会，来自国内宽禁带半导体学术界和产业界的专家学者进行了两天的学术交流。

　　2016年在延吉召开的14届全国MOCVD 会议期间，“宽禁带半导体专业委员会”与“电子材料学分会”联合开会讨论决定：全国宽禁带半导体学术会议自第二届开始将由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会共同举办；第二届全国宽禁带半导体学术会议定于2017年8月10日-8月12日在青海西宁市举行。

　　当前，国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，被认为是“换道超车”的重要发展窗口期，我国也在积极推进宽禁带半导体的发展。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

　一、大会主要日程

　　二、大会邀请报告：

　　郑有炓中国科学院院士，南京大学教授—— 宽禁带半导体若干发展新动向

　　陶绪堂山东大学教授——β- Ga2O3宽禁带半导体单晶生长和器件应用

　　彭俊彪华南理工大学教授——高迁移率氧化物半导体显示材料的科学与技术

　　徐科中国科学院苏州纳米所研究员——氮化镓单晶材料生长与应用研究进展

　　叶志镇浙江大学教授——ZnO薄膜研究新进展与LED光效提升研究

　　陈小龙中国科学院物理所研究员——碳化硅晶体新效应、晶体生长和产业化

　　盛况浙江大学教授——碳化硅电力电子器件进展及展望

　　康俊勇厦门大学教授——多场调控AlGaN量子结构及其在紫外光源的应用

　　陈敬香港科技大学教授——GaN功率集成电路技术

　　蔡树军中国电子科技集团第十三研究所研究员——GaN微波器件最新进展

　　三、大会分会场主题：

　　1、材料生长（氮化物半导体、氧化物半导体、SiC、金刚石等）
2、材料物性和表征方法（光、电、磁、热性质、缺陷物理等）
3、光电子器件及其应用（LED、LD、光电探测器等）
4、电子器件及其应用（射频电子器件、功率电子器件等）
5、新型宽禁带材料与器件（超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等）

四、会议注册费：

　　1. 一般代表（A类票）：

　　2800元（含论文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）

2. 学生代表（B类票）：

　　2300元（与一般代表相同会议待遇，但须提交相关证件）

五、注册费缴费方式：

　　1．通过银行汇款：

　　开户行：中国银行北京科技会展中心支行

　　账号：336356029261

　　名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

2．现场缴费（接受现金和刷卡）

　　六、会议信息及联系人

　　1. 会议官网：

　　2. 会议酒店：青海西宁万达嘉华酒店

　　组委会提供会议协议酒店，以满足参会代表的不同需求。会议召开期间，正值旅游旺季，房源紧张，请您合理安排好时间，自行与酒店提前联系预定，并声明是参加“第二届全国宽禁带半导体学术会议”的代表，住宿费用自理。

　　备注：各酒店享有会议特别折扣的客房数量有限，请尽早预订。享有会议折扣房价的客房售完时，一些酒店可能还保留部分原价客房以供预订。