2017年8月10日-12日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会主办，广东省科学院、广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办的第二届全国宽禁带半导体学术会议将在青海省会西宁召开。
近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。
第二届全国宽禁带半导体学术会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。强大的嘉宾团加上高质量的内容，将带来一场宽禁带半导体领域的一场别开生面的交流盛会，也为本届会议凝聚了超高的人气。值得一提的是，本届嘉宾阵容星光熠熠，超高规格，其中原国家科学技术部副部长曹健林，中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国科学院院士、南京大学教授郑有炓将领衔担任名誉主席。同时大会更是集结了来自中国科学院、中国工程院的多位院士，以及全国宽禁带半导体照明领域的优势力量共同坐镇，为大会提供强有力的支持。
氮化镓(GaN)以及碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地，被认为或将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。从会议设置来看，开幕大会特邀南京大学电子科学与工程学院郑有炓院士、浙江大学盛况教授、中科院物理所研究员陈小龙、厦门大学康俊勇教授，中国电子科技集团公司第十三研究所蔡树军所长做特邀报告；闭幕大会还特邀了浙江大学叶志镇教授、华南理工大学彭俊彪教授、山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员、香港科技大学陈敬教授从不同研究领域分享前沿研究。
除了开闭幕大会以外，还设置5个分会场，围绕材料生长、材料物性表征及仿真、LED及照明技术电力电子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它宽禁带半导体材料与器件等不同主题进行深入探讨。从分会报告内容来看，围绕第三代半导体的前沿发展、技术应用、产业化等多个维度都将有重量级的报告呈现。既有宽禁带半导体的发展新动向，亦有碳化硅、氮化镓材料，以及器件等的最新研究进展及发展方向，将以开阔的视野展现宽禁带半导体领域的现在与未来，非常令人期待。
大会也受到业界高度关注，不仅收到了大批高质量的论文，而且各大科研机构、高校、名企也积极派代表报名参会。据组委会介绍，截止日前，已收到投稿170余篇，大会邀请报告10篇，分会邀请报告40余篇。
当前，国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，被认为是“换道超车”的重要发展窗口期，我国也在积极推进宽禁带半导体的发展。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。
以下是活动最新日程：（备注：最终议程以活动当天为准）
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备注：最终议程以活动当天为准。
