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第二届全国宽禁带半导体学术会议在西宁开幕

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-08-11  来源:中国半导体照明网  浏览次数:468
   简讯:8月10,历经两年的精心筹备,第二届全国宽禁带半导体学术会议在西宁万达嘉华酒店盛大开幕。本届会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会和中国电子学会电子材料学分会主办,广东省科学院、广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司协办。
第二届全国宽禁带半导体学术会议在西宁开幕
  大会主席、北京大学教授张国义, 广东省科学院副院长刘敏, 大会主席、第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长吴玲, 中国有色金属学会理事长贾明星先后为大会致开幕词。北京大学沈波教授主持开幕式,与来自全国各地各大科研机构、高校、名企500余名参会代表出席本次会议。
第二届全国宽禁带半导体学术会议在西宁开幕
  在大会特邀报告环节,中国科学院院士、南京大学教授郑有炓分享了“宽禁带半导体的发展新动向”专题报告;中国电子科技集团第十三研究所研究员蔡树军分享了“GaN微波器件最新进展”主题报告;浙江大学教授盛况带来了“碳化硅电力电子器件研究新进展”报告;中科院物理所研究员陈小龙则带来了“宽禁带碳化硅半导体材料研究及产业化”主题报告;山东大学晶体材料国家重点实验室主任陶绪堂教授带来了“宽禁带半导体晶体材料与器件研究进展”。
 
  在为期三天的密集学术报告里,火热的话题、强大的嘉宾团加上高质量的内容,为本届会议凝聚了超高的人气,大会不仅收到了大批高质量的论文。根据大会日程,开、闭幕大会特邀报告环节,各设置了五大特邀报告。期间,还安排了两场深度对话讨论,一是对深紫外光电材料与器件发展趋势讨论,二是对宽禁带半导体电子器件发展趋势进行讨论。
 
  同时,还设置5个分会场,邀请了135个主题报告。围绕材料生长、材料物性表征及仿真、LED及照明技术电力电子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它宽禁带半导体材料与器件等不同主题进行前沿研究分享和深度交流。从大会报告内容设置来看,围绕第三代半导体的前沿发展、技术应用、产业化等多个维度都有重量级的报告呈现。既有宽禁带半导体的发展新动向,亦有碳化硅、氮化镓材料,以及器件等的最新研究进展及发展方向,多维度呈现宽禁带半导体领域的最新动态。并将以开阔的视野展现宽禁带半导体领域的现在与未来。
 
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