材料与装备技术对于LED性价比的提升至关重要，也是LED照明市场获得发展的关键推动力。随着半导体照明进入新的发展阶段，进一步提高LED的发光效率和降低LED的制备成本仍然非常重要。
2017年11月1-3日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办的第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛开幕大会在北京顺义隆重召开。
期间，SSLCHINA 2017的经典分会“材料与装备技术”如期举行。中微半导体设备（上海）有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司、维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司为本次分会提供了协办支持。
从内容来看，本届分会兼顾内容的广度与深度，前沿大势与实用技术的搭配，重量级特邀报告陆续登场。美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU，挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，北京大学教授陈志忠、南昌大学教授刘军林、中微(上海)有限公司首席技术员胡建正、北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀BU副总经理刘利坚，德国爱思强股份有限公司副总裁Michael HEUKEN 等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，河北工业大学教授毕文刚共同主持了本次分会。
会上，美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU 分享了照明和显示应用GaN纳米结构的局部应变工程技术。
经过多年的发展，我国已经成为半导体照明领域的制造和应用大国。高品质LED照明应具备低色温、高显色指数、高光效、对人眼安全与舒适等特点。目前LED依然不够成熟，蓝光和红光LED的外量子效率已经分别超过70%和50%，而黄光效率显著低于蓝光和红光光效，这个现象被称为“黄光鸿沟”。 南昌大学教授刘军林介绍了无荧光粉照明技术，分享了在解决“黄光鸿沟”方面取得的突破。
材料是技术发展的物质基础。 挪威科技大学教授Helge WEMAN介绍了石墨烯/玻璃上AlGaN纳米线倒装紫外LED生长。
重大装备及材料技术的进展，时刻牵动着产业快速发展命脉，MOCVD设备作为LED领域最为重要的装备，其发展一直是业内关注的焦点，近些年中国设备厂商进步明显。会上，中微半导体设备(上海)有限公司主任研究员胡建正介绍了基于高产率MOCVD平台 - AMEC Prismo A7TM的氮镓LED生长研究，分享了中微最新的设备，并分享了4寸、6寸LED在蓝宝石衬底上的实验结构。
北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀BU副总经理刘利坚分享了LED工业中的干法刻蚀工艺技术和关键设备。介绍了LED领域所用到的一些设备、干法刻蚀以及北方华创在LED领域最近所做的工作和一些进展。
Micro LED显示应用近来很火， 德国爱思强股份有限公司全球副总裁、德国亚琛工业大学教授Michael HEUKEN 介绍了Micro LED显示屏–高产率MOCVD工艺路径，分享了市场的应用以及市场的增长，介绍了微型的LED还有微型LED的一些生产平台等技术。
图形化蓝宝石衬底(PSS)已经被广泛用于提高LED的晶体质量以及出光效率。不过，对于 纳米PSS（NPSS）是否可以有效提高晶体质量还有不同的看法。此次会上，北京大学教授陈志忠分享了基于纳米图案蓝宝石衬底通过MOCVD生长蓝绿色LED的研究成果。
