产业发展形势变化飞速，产业、技术进展如何，又将走向何方？在近期由北京市顺义区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办的第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛闭幕式上，南昌大学副校长江风益带来了最新的高光效黄光LED技术进展分享，备受关注。
待发展的高效黄光LED技术
红光LED发明之后，经过半个世纪的发展，从红光到蓝光，多种颜色的可见光LED均已经实现了产业化，它们之间的组合带来五彩缤纷的新世界新视觉。不同颜色LED的光转换效率发展不平衡，效率高低不同。其中，蓝光LED、红光LED、绿光LED的效率还不错，但黄光LED的效率不高，因此，照明用LED大部分是蓝光激发荧光粉的方式。
实际上，如果黄光LED的效率够高，荧光粉环节可以省掉。无论是以GaP还是以GaN为基础的黄光LED的效率都不高，从整个可见光范围，有一种光的颜色效率太低不能不说是一个遗憾，也应该发展该技术。
LED照明为节能减排做出了重要贡献。从发展的角度，当前LED照明主要是蓝光LED激发荧光粉的方式，离不开荧光粉，还不是百分百LED照明，既存在电子发光还存在光致发光，如果实现全部为电子发光，就是百分百的LED照明。
蓝光LED加荧光粉的方式，具有效率等有点，但也存在蓝光含量多少的控制、显色指数与效率兼顾等问题。如果用多种颜色LED来实现白光，可以减少蓝光激发荧光粉过程中的能量损失，从本质上来看，不用荧光粉做照明效率是最高的。多基色LED合成白光LED是全光谱式概念，国内已经有相关的项目立项，也取得了很好的进展。从黄光LED的发展历史来看，国内外的研究都在进行，经过50多年的发展，黄光从无到有，再到效率不断提升，不同时期用的是不同材料，不同衬底，器件结构也不一样。国内相关也有不错的进展。
南昌大学InGaN 黄光 LED研究进展
高效黄光LED技术进展
目前，南昌大学研究小组研发的InGaN基硅衬底黄光LED，在20A/cm2电流密度下，插座效率达到21.7%，流明效率为130lm/W。效率峰值为30%，180lm/W。自主设计制造的专用MOCVD和硅衬底张应力特性被归于提升黄光LED效率的重要因素。InGaN材料在黄光波段的表现已经超过AlGaInP。基于硅衬底黄光LED，实现了121lm/W，显指97.5，色温2941K的多基色无荧光粉暖白光LED以及138lm/W，显指92.9，色温4856K的多基色无荧光粉冷白光LED。
江风益表示，无荧光粉固态照明技术将为半导体照明产业注入新的活力，期望在智能照明、可见光通讯等领域发挥重要作用。黄光的突破拉开了没有荧光粉LED照明技术的序幕产业的序幕，今后的发展随着黄光效率的进一步提升，应用范围会越来越广。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
