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南京大学苏琳琳:4H-SiC紫外雪崩光电探测器的雪崩不均匀性研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-11-01 17:36   来源:中国半导体照明网  浏览次数:275
   2018年10月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。
 
  10月24日下午,“固态紫外器件技术”分会如期举行,分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
 
  美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜,华中科技大学教授陈长清,北京大学副教授许福军,三重大学助理教授永松谦太郎,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱,厦门大学教授黄凯,中南大学教授汪炼成,南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告,并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
苏琳琳报告截图
 
  紫外单光子探测器在军事和民用领域有重要的应用前景。4H-SiC作为新型第三代半导体材料具有禁带宽度大、载流子饱和漂移速度高、碰撞离化系数大、化学稳定性优等优势,是制备紫外雪崩光电探测器(APD)的优选材料。近年来,虽然4H-SiC APD的性能不断提高,但仍存在雪崩增益不均匀,单光子探测效率低等问题。南京大学苏琳琳带来了4H-SiC紫外雪崩光电探测器的雪崩不均匀性研究的报告,具体的研究实践表明显示器件台面内的雪崩不均匀性与[11-20]晶向有关,这对优化器件结构、提高性能有重要指导意义。
 
  (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
 
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