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三重大学助理教授永松谦太郎:UVC-LED中应力松弛层对溅射沉积高温退火AlN /蓝宝石影响的研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2018-11-01 17:41   来源:中国半导体照明网  浏览次数:303
  2018年10月23-25日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)与深圳市龙华区政府联合主办的第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。
 
 10月24日下午,“固态紫外器件技术”分会如期举行,分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
 
 美国Crystal IS.联合创始人Leo SCHOWALTER,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜,华中科技大学教授陈长清,北京大学副教授许福军,三重大学助理教授永松谦太郎,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱,厦门大学教授黄凯,中南大学教授汪炼成,南京大学苏琳琳等中外同行专家带来精彩报告,并分享各自的最新研究成果。厦门大学教授康俊勇,中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜共同主持了本届分会。
永松谦太郎
 
 随着应用的逐渐扩大,近年来,使用同样III族氮化物半导体制备的UVC-LED作为汞灯的替代,备受关注,三重大学助理教授永松谦太郎带来了UVC-LED中应力松弛层对溅射沉积高温退火AlN /蓝宝石影响的研究,分享了一种方法将溅射沉积的高温退火(Sp-HTA) AlN/蓝宝石作为UVC-LED的衬底,以在大规模量产中降低成本。利用Sp-HTA可获得高结晶质量和光滑表面的AlN层。利用应力松弛层制备了基于Sp-HTA AlN/蓝宝石的UVC-LED,并与常规MOVPE-AlN模板进行了比较。结果表明,比传统的MOVPE-AlN相比,LED光输出强度提高了1.5倍。他同时分享探讨了基于Sp-HTA AlN/蓝宝石的UVC-LED的应力松弛层的细节特征。
 
  (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
 
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