11月27日上午，“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司协办。
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，南京大学教授陆海，台湾交通大学特聘教授郭浩中，中微半导体设备（上海）股份有限公司主任工艺工程师胡建正，上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮，河北工业大学教授张紫辉，郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF，厦门大学高娜，南京大学王致远等国际知名专家参加本次会议，力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。
氮化物量子结构是制备紫外乃至深紫外发光二极管、探测器，以及激光器的核心结构和关键材料。然而，由于生长过程中存在晶格失配大、气相预反应强等问题，想要制备出具有原子尺度的陡峭界面和均匀组分的量子结构材料具有一定难度。特别是生长特征尺度达到单个分子层量级的氮化物量子结构，涉及的生长动力学过程尤为复杂，制约了超晶格、量子阱等结构品质的提高。
厦门大学高娜带来了题为“可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长”的主题报告，从晶体生长热力学角度出发，采用第一性原理模拟了原子反应单体在晶体生长表面的化学势，以揭示反应单体随生长氛围变化的规律。
为了获得原子尺度精确的AlN/GaN和GaN/AlN异质界面，分别计算了在AlN表面和GaN表面吸附N原子，以及在相应的N吸附层上再分别吸附Ga原子和Al原子的形成焓。以理论计算为指导，研究设计了瞬间改变生长氛围的时序方式，通过调控MOVPE系统的生长氛围来调控晶体生长表面的化学势场，并通过数字调控的方式制备出分子层厚度可控的AlN/GaN结构。所生长的AlN/GaN结构界面陡峭清晰且原子层量级可辨，实现了对生长单体的分选，达到吸附单体的一致和原子级表面平整度，为紫外和深紫外波段内不同单色波长的高精度量子结构制备奠定了材料基础。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
