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中科院半导体所副研究员张逸韵:InGaN基超高能效LED核心材料及器件技术研究进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-29 10:59   来源:中国半导体照明网  浏览次数:321
  LED产业从未停止技术创新步伐,尤其紧跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型显示相关的新技术一直都是产业追逐的焦点。半导体照明芯片、封装及模组技术工艺及技术的革新都能引发产业极大关注。
 
  11月25--27日,第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛(SSLCHINA&IFWS2019)在深圳成功召开。“半导体照明芯片、封装及模组技术II”分会作为SSLCHINA&IFWS2019论坛的重要技术分会之一,由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办,得到了深圳市龙华区科技创新局、木林森、中科潞安、华灿光电、中微公司、欧司朗、有研稀土等单位的鼎力支持。
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  会上,邀请到了中国科学院半导体研究所副研究员张逸韵分享了《InGaN基超高能效LED核心材料及器件技术研究进展》报告。她2016毕业于香港大学电子工程系获得博士学位。2016-2019年在美国西北大学从事博士后研究。2019年进入中科院半导体所照明研发中心工作。主要研究方向包括GaN基新型光电子器件研究以及锑化物二类超晶格红外焦平面探测器研究。在学及工作期间共发表学术论文40余篇。总引用约650余次。担任IEEE Electron Devices Society、IEEE Photonics Society、The Optical Society of America (OSA)等学会会员、并受邀担任多个学术期刊的审稿人(OSA Optics Express, Optics Letters, Applied Physics Letters, IEEE Photonics Journal, Applied Optics, Nanotechnology, Nanoscale, Applied Optics etc.)
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  报告重点介绍近阶段关于InGaN基超高光效LEDs研究进展情况。通过使用纳米图形衬底、金属反射镜、新型ITO透明电极、电子阻挡层等技术,InGaN LED的外量子效率被显著提高,达到83%。, 5.85A/cm2注入条件下,LED(6*20mil2,色温4059K)峰值光效达到252.02lm/W  , 100A/cm2大电流注入条件下 LED光效达到141.01lm/W。通过薄膜LED结构设计,2 mm2 LED的光输出功率达到2W,工作电压低至3V,100A/cm2注入条件下光效达到128.42lm/W。
 
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