来源：南大光电
2020年底，芯片大师曾报道突破！首款国产ArF光刻胶通过认证，可用于45nm工艺，南大光电自主研发的ArF光刻胶产品成功通过某闪存客户使用认证，线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求。
5月11日，南大光电在业绩说明会中回复投资者称，公司的ArF光刻胶开发和产业化项目目前已完成25吨光刻胶生产线建设，主要先进光刻设备，如 ASML浸没式光刻机等已经完成安装并投入使用。
图：光刻胶是最重要的半导体材料之一
2020年底，公司自主研发的ArF光刻胶产品成功通过下游客户的使用认证，成为通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，各项光学性能均达到商用胶的水平，可实现先进光刻胶的国产替代。
南大光电公告称，从目前的测试结果看，旗下ArF光刻胶性能和日本产品达到同等水平，是目前国内最先进的光刻胶产品，并实现了ArF光刻胶的国产化和本土化，打破了被国外长期垄断的被动局面。
此外，光刻胶的产业化已经取得关键突破，南大光电透露已经拿到国产光刻胶的首个订单，实现小批量销售。目前，光刻胶产品正在继续发往多个下游客户进行验证工作，验证进展顺利。
图：半导体光刻胶的分类
对于关键的原材料、设备“卡脖子”问题，南大光电表示，目前已经除了配备用于质量检测的光刻机等量测设备是国外进口的之外，光刻胶的主要原材料是自己开发和生产的，生产设备是联合国内企业研制的，均不存在被卡风险。
产品规划方面，南大光电称，光刻胶项目2021年的主要任务是完成主要客户认证，2022年启动量产并力争尽早实现盈利。
自2019年日本对韩国进行半导体材料出口管制以来，光刻胶已经成为产业上游自主化的关键，2021年以来，国内企业的光刻胶进口供货持续紧张，威胁封测产能，因此，i线以上包括KrF、ArF和EUV光刻胶在内的产品自主化对我国半导体业有现实而长远的意义。
