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至芯半导体大功率紫外器件创新纪录,单颗芯片发射功率达到210mW

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-07-05 来源:半导体照明网浏览次数:651
半导体照明网获悉:2022年7月,位于中国杭州的一家半导体企业——至芯半导体有限公司(BeyondSemi)公布了震惊世界的消息,中国企业在日盲深紫外器件方面取得重大突破,单颗45mil*45mil芯片的发射功率达到了210mW,创造了最新的世界纪录。
 
该大功率紫外器件,经权威第三方检测机构检测,在注入电流500mA的条件下,峰值波长271nm,输出光功率达到209.59mW,使得UVC紫外芯片在杀菌效率方面达到新的高度。(参考附件)
 
至芯半导体有限公司(BeyondSemi)除了雄厚的海外专家团队还有着强大的股东背景,成立之初即受到上市公司木林森和著名的步步高投资集团等股东的高度青睐,不仅在资金方面给予大力支持,同时在产业协同方面也给予极大赋能,推动紫外外延和芯片在紫外杀菌、紫外医疗、紫外探测以及紫外日盲通信等方面的全方位应用。
 
近年来中国紫外企业正在崛起,至芯半导体是其中之一,至芯半导体正着力打造2.0版本的紫外企业。如同企业的英文名BeyondSemi一样,公司秉承超越、创新、引领的理念,超越原有1.0版本。至芯半导体是一家致力于建设国际领先的第三代半导体高新技术企业,专注于深紫外材料和芯片的研发、生产及应用开发,产业应用布局紧密。围绕紫外杀菌、紫外医疗、紫外探测及紫外通信方向。公司有远大的理想和使命,最新的发射芯片的功率超越200mW,只是公司既定的前期目标之一。中期目标就是实现紫外发射芯片WPE(发光效率)超过10%,同时开发出高灵敏度的日盲探测芯片,远期目标就是实现日盲光通信的应用,打造中国半导体国际领军企业。
 
附件:
 
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