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Soraa公司获美国能源部再拨款推进大尺寸GaN基底研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2013-10-24 来源:中国半导体照明网浏览次数:30

 

  中国半导体照明网译 Soraa公司10月23日宣布已获得美国能源部先进能源研究计划署(ARPA-E)数额几百万美元的拨款,以推进与将大尺寸GaN基底用于电力电子技术的研究相关的两个项目。

  该公司目前已参与ARPA-E的SWITCHES项目,负责执行项目第一阶段的研究,内容有关大尺寸、低成本、高质量GaN基底的研究,并将其应用到高级电源开关上,该阶段为期4年,共耗资320万美元。Soraa公司还曾获得ARPA-E 475万美元的拨款,用于研究采用氨热法生长大尺寸GaN基底,此类基底可用于LED、垂直电源设备及新一代电力电子技术。

  Soraa公司首席技术官Mike Krames介绍说:“低成本、高质量、大尺寸的GaN基底的研发是电力电子技术进步的一个重大技术难点。”本次最新获得拨款的两个项目的负责人Mark D'Evelyn则表示公司很高兴能够将大尺寸GaN基底技术拓展应用到这一重要领域。

  (中国半导体照明网译 转载请注明)

  原文链接:http://www.globalledoled.com/index.php?option=com_content&view=article&id=935&Itemid=53&doc=201310230900PR_NEWS_USPR_____NY02626&showRelease=1&dir=0&categories=LED-LIGHTING-AND-TECHNOLOGY&andorquestion=OR&&passDir=0,1,2,3,4,5,6,15,17,34

 
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