中科院微电子所研究员黄森:基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造
中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。
英诺赛科副总经理金源俊:200mm CMOS晶圆厂无分散增强型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工艺
“氮化镓功率电子器件”技术分会上,来自德国ALLOS Semiconductors GmbH市场总监Alexander LOESING带来“无碳掺杂GaN-on-Si大...
2017年11月1日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办的第...
2017年11月7日,由福州物联网开放实验室有限公司牵头提交的《基于窄带物联网(NB-IoT)技术的道路照明智能控制系统》CSA...
2017年11月1日-3日,第十四届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2017)暨 2017 国际第三代半导体论坛(IFWS 2017)在北京...
2017年11月1日-3日,第十四届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2017)暨 2017 国际第三代半导体论坛(IFWS 2017)在北京...
2017年11月1日-3日,第十四届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2017)暨 2017 国际第三代半导体论坛(IFWS 2017)在北京...
2017年11月1日-3日,第十四届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2017)暨 2017 国际第三代半导体论坛(IFWS 2017)在北京...
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