美国NAURA-Akrion首席技术官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术

日本德岛大学周继禹：高铝组分的AlGaN/GaN异质结pH传感器

比利时IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的电路技术

美国Transphorm高级副总裁YifengWU：击穿电压超过650V同时结温超过150°C的氮化镓功率器件

加拿大GaN Power副总裁兼联合创始人傅玥：氮化镓：启动未来

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。

德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA分享了《通过高品质硅基氮化镓外延以实现无碳掺杂的高隔离性和高动态表...

加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机...

中国科学院微电子研究所汤益丹：大电流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力电热分析

日本福井大学教授Masaaki KUZUHARA：基于半绝缘氮化镓衬底生长的高击穿电压氮化镓HEMT器件

英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统

加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明：宽禁带器件的设计和TCAD模拟

2019年11月25-27日，第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中...

IFWS2019：功率电子器件及封装技术分会Ⅰ成功召开

2019年11月24日，2019国际第三代半导体研修班正式开班，来自第三代半导体领域的3位国际知名专家就碳化硅、氮化镓的最新技术进...

科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议

中国科学技术大学孙海定和龙世兵课题组和中国科学院宁波材料所郭炜和叶继春课题组在高衬底斜切角（4度）蓝宝石衬底上成功外延...

科锐与ABB宣布SiC合作，提供汽车和工业领域解决方案

为了表彰和宣传在我国第三代半导体事业中做出显著业绩和突出贡献的青年典型，用卓越青年的精神激励、教育和引导第三代半导体...

2019年11月7日，Micro-LED技术与产业发展论坛于北京大学物理学院成功召开。