图1.实现分离的自支撑GaN厚膜和蓝宝石衬底
此外，课题组在同质外延生长、2英寸GaN自支撑衬底和GaN/Al2O3复合衬底的产业化、多片HVPE产业化设备的研制等方面均取得了较大进展，同质外延生长的GaN薄膜的位错密度1.3?107cm-2，2英寸GaN自支撑衬底和GaN/Al2O3复合衬底的产能分别达到500片/年和10000片/年，21片HVPE设备完成安装调试，并已经能够生长出质量均匀性良好的15-25微米的GaN/Al2O3复合衬底。
图2. 21片HVPE设备及制备的2英寸GaN/Al2O3复合衬底
