本届会议由中国有色金属学会主办，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟、发光学及应用国家重点实验室、应用光学国家重点实验室和半导体照明联合创新国家重点实验室等单位承办，吉林省科技厅和延边市科技局也将予以大力协助和支持。
全国MOCVD学术会议作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，已经成功举办了十三届，28年的传承与积淀使大会成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会，规模和影响不断扩大。2016年8月16-19日，全国MOCVD顶级专家将齐聚第十四届全国MOCVD学术会议，围绕“新形势下的MOCVD+”主题，深入探讨在新型学科，新材料不断涌现；新技术、新产品不断出现的背景下，MOCVD将如何继续发挥其应有的作用和巨大的发展潜力。
据大会组委会介绍，今年大会将在内容与形式上尝试创新与突破，届时，来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家将齐聚一堂，围绕MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作，推动我国MOCVD学术研究、技术进步以及第三代半导体产业发展的大力发展。
目前，大会各个分会正积极有序推进，会议征文内容也按照外延生长机理和生长动力学；外延结构与物性；光电子材料与器件；电子材料与器件；其他材料与器件；封装技术及封装材料；设备研制与开发和衬底、MO源、高纯气体等基础材料广泛征文。
据了解，目前组委会已陆续收到高质量论文数篇。自论文征集活动开始以来，受到各大科研院所、机构及高校、企业等科研、技术人员的积极参与。组委会相关人士表示，“凡符合会议征文要求的所有征集到的论文摘要均被编入会议文集，优秀论文将被推荐至发光学报（EI）发表，并有机会遴选为会议现场POSTER展示交流。“
目前，征文仍在火热进行，欢迎优秀论文投稿。如有意投稿的作者，请于2016年6月15日前，通过电子邮件方式提交给会议组委会秘书组（mocvd14 @ciomp.ac.cn）。
征文内容：
1．外延生长机理和生长动力学
2．外延结构与物性
3．光电子材料与器件
4．电子材料与器件
5．其他材料与器件
6．封装技术及封装材料
7．设备研制与开发
8. 衬底、MO源、高纯气体等基础材料
征文要求：
1．符合上述征文内容要求的论文摘要；
2．论文摘要主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位；
3．论文摘要以WORD文档形式准备，包含标题、作者及其单位地址、正文、参考文献等在内不超过一页A4纸，相关模板可登录 http://www.mocvd14.org下载；
4. 2016年6月15日前，通过电子邮件方式提交给会议组委会秘书组（mocvd14 @ciomp.ac.cn）；
论文征集热线：
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484；
孙晓娟 sunxj@ciomp.ac.cn
会议报名/商务赞助热线：
贾欣龙 jiaxl@china-led.net 18310277858
张威威 zhangww@china-led.net 13681329411
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
有关“第十四届全国MOCVD学术会议”的更多详情及最新动态请关注会议官网：www.mocvd14.org
