2017年11月2日，由北京市顺义区人民政府和国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办的第十四届中国国际半导体照明论...

　　2017年11月2日，由北京市顺义区人民政府和国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办的第十四届中国国际半导体照明论...

　　智能照明产品日益融入智能家居系统，从不断改善和提升驱动的寿命以跟上LED光源长寿命的步伐，到逐渐向智能照明的方向进展...

　　第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。有数据显示，紫外线LED应用于光...

　　光是农业生产中最重要的环境因子之一，在调控动植物及微生物生长发育、实现高产、优质、高效等方面具有不可替代的重要作...

　　2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛开幕大会在北京顺义隆重召开。论坛由国...

　　国际半导体照明联盟（ISA）2017年成员大会于11月1日上午9时在中国北京首都机场希尔顿酒店召开，约80多名成员代表参加了此...

　　国际半导体照明联盟（ISA）标准化技术委员会（TCS）第十二次会议于2017年11月3日在北京首都机场希尔顿酒店召开。会议由IS...

2017年11月3日下午，由北京市顺义区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和国家半导体照明工程研发及产业联盟...

　　--SSLCHINA2017之智慧照明与智慧城市峰会隆重举行　　2017年11月1-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三...

　　第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带Ⅳ族化合物以及宽禁...

　　为助力中国第三代半导体行业发展提质增效，更好地整合国内外第三代半导体行业的优势资源，实现中国半导体行业迅速崛起。2...

　　氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有...

超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的...

2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京顺义...

图形化蓝宝石衬底(PSS)已经被广泛用于提高LED的晶体质量以及出光效率。许多研究者报道了当图形尺寸减少到纳米尺度，LED出光效...

经过多年的发展，我国已经成为半导体照明领域的制造和应用大国。2016年，LED上中下游市场规模超过5000亿元，为我国节能减排做...

　　一代材料，一代器件，一代装备，一代应用。第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅...

可靠性与热管理技术一直是制约LED照明高品质的重要因素，一直备受关注。如今对于可靠性的关注点已经从LED单个产品向整个系统...

　　由国际半导体照明联盟（ISA）组织评选的全球半导体照明年度新闻（2016-2017） 揭晓：高光效黄光LED制造技术取得重要突破...