2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京...

　　2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京...

　　2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京...

　　毫米波固态功率放大器是现代化军事装备的重要组成部分，其在W波段需要的发射端输出功率达数瓦或更高。　　2017年11月1日-...

　　第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。有数据显示，紫外线LED应用于光...

　　第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带Ⅳ族化合物以及宽禁...

　　为助力中国第三代半导体行业发展提质增效，更好地整合国内外第三代半导体行业的优势资源，实现中国半导体行业迅速崛起。2...

　　氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有...

超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的...

2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京顺义...

　　一代材料，一代器件，一代装备，一代应用。第三代半导体材料主要包括以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅...

第三代半导体产业技术创新战略联盟乘十九大东风于2017年11月1日上午在首都希尔顿酒店召开第一届三次会员大会。出席本次会议领...

有业内人士分析认为，随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电...

　　以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，市场应用潜力巨大...

2017国际第三代半导体论坛（IFWS2017）

市场需求逐渐起量 氮化镓功率电子器件市场商机无限

扎根第三代半导体，谁能脱颖而出？

近年来，以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目，成为全球半导体研究开发的前沿和...

　　一、各高新区外参与大赛并落地高新区的企业，可获得50万-2000万元产业基金投资对接。　　二、本届大赛联合将近100亿元的...

第二届国际第三代半导体创新创业大赛(厦门赛区)常见问题解答