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外媒:三星电子表示已开始量产3纳米芯片,领先于台积电

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-07-01 来源:TechWeb浏览次数:283
6月30日消息,据国外媒体报道,周四,三星电子表示,它已经开始量产3纳米芯片,这使它击败竞争对手台积电,成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。
 
据悉,这款芯片此前预计将于2021年上市,但一直推迟到今年。该公司没有公布新芯片的成品率和客户,但它表示,一旦成品率稳定,该芯片将用在智能手机上。
 
虽然三星没有公布新芯片的客户,但韩媒报道称,新芯片的第一个客户是中国矿机芯片厂商PanSemi。
 
周四,三星电子表示,与5纳米芯片相比,3纳米芯片的性能提高了23%,功耗降低了45%,芯片面积减少了16%。将于2023年推出的第二代3纳米芯片则可使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。
 
三星电子的3纳米制程工艺采用的是GAA技术,该技术旨在提高芯片的晶体管密度,从而提高能源效率。
 
与目前应用在5纳米、7纳米上最先进成熟的FinFET晶体管相比,GAA更先进,它可以更精确地控制电流,栅极宽度也更窄。
 
三星是世界上最大的存储芯片制造商,也是第二大代工芯片制造商,该公司正与全球最大的代工企业台积电展开竞争。
 
2021年10月份,三星电子曾宣布,它将于2022年上半年开始量产3纳米芯片,这一时间表将在台积电之前。据悉,台积电计划在2022年7月量产3纳米芯片。

来源:TechWeb
 
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