近日，国星光电在回答投资者提问时表示，目前公司已在巨量转移、共晶键合、量子点全彩化、检测修复、高可靠性封装等Micro LED领域多项关键技术上取得突破，Mini/Micro LED领域已申请发明专利100余件，最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ，像素间距300微米（P0.3），实现了8bit（256灰阶）色深的显示效果，同时在巨量转移及巨量键合上获得突破，其综合良率达99.99% ，未来有望在大尺寸拼接智慧屏等高清显示产品中获得广泛应用。 接下来，国星光电布局深耕新型微显示赛道，不断开发新品提升产品性能，在玻璃基Micro LED技术路线方面，将重点布局高端智慧屏、车载显示屏和智能手表；在硅基Micro LED技术路线方面，重点布局AR显示领域。
